表面音波组件结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114553182A(43)申请公布日2022.05.27(21)申请号202011328874.1(22)申请日2020.11.24(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市(72)发明人王振孝何凯光(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师陈小雯(51)Int.Cl.H03H9/25(2006.01)H03H9/64(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称表面音波组件结构及其制造方法(57)摘要本发明公开一种表面音波组件结构及其制造方法，其中该表面音波组件结构包括基板。多个表面音波单元设置在所述基板上。导电围绕结构包括:壁部设置在所述基板上且围绕所述多个表面音波单元；及横向层部设置在所述壁部上。所述横向层部具有开口，在所述多个表面音波单元上方。盖帽层覆盖在所述横向层部上，且封闭所述开口。CN114553182ACN114553182A权利要求书1/2页1.一种表面音波组件结构，其特征在于，包括:基板；多个表面音波单元，设置在所述基板上；导电围绕结构，包括:壁部，设置在所述基板上且围绕所述多个表面音波单元；及横向层部，设置在所述壁部上，其中所述横向层部具有开口，在所述多个表面音波单元上方；以及盖帽层，覆盖在所述横向层部上，且封闭所述开口。2.根据权利要求1所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述盖帽层是焊料层。3.根据权利要求2所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述盖帽层仅在所述横向层部的顶部。4.根据权利要求2所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述盖帽层是回流焊料层，以封闭所述横向层部的所述开口。5.根据权利要求1所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述导电围绕结构是金属，且所述盖帽层是焊料。6.根据权利要求5所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述导电围绕结构包含铜或是电镀材料。7.根据权利要求1所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述盖帽层是模塑料结构。8.根据权利要求7所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述模塑料结构也覆盖所述导电围绕结构的外侧壁且在所述基板上。9.根据权利要求7所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述盖帽层是环氧树脂盖帽，且封闭所述横向层部的所述开口。10.根据权利要求1所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述导电围绕结构是金属，且所述盖帽层是环氧树脂材料。11.根据权利要求10所述的表面音波组件结构，其特征在于，所述导电围绕结构包含铜或是电镀材料。12.一种制造表面音波组件的方法，其特征在于，包括:提供基板；形成多个表面音波单元在所述基板上；形成牺牲层，以覆盖过所述多个表面音波单元，其中所述牺牲层包括围绕沟槽以暴露所述基板且围绕所述多个表面音波单元；施行电镀工艺，在所述围绕沟槽中从所述基板的所述暴露表面形成导电围绕结构，其中所述导电围绕结构包括横向层部，在所述牺牲层上，且所述横向层部具有开口，在所述多个表面音波单元上方；以及形成盖帽层，覆盖过所述横向层部，且封闭所述开口。13.根据权利要求12所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，所述导电围绕结构是电镀的金属。14.根据权利要求12所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，所述导电围绕结构包含铜或电镀材料。2CN114553182A权利要求书2/2页15.根据权利要求12所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，形成所述盖帽层的所述步骤包括:形成焊料层在所述导电围绕结构的所述横向层部上；移除所述牺牲层；以及对所述焊料层进行回流工艺，其中所述横向层部的所述开口也被封闭。16.根据权利要求15所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，所述焊料层是在进行所述回流工艺前，电镀在所述导电围绕结构的所述横向层部上。17.根据权利要求12所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，形成所述盖帽层的所述步骤包括:移除所述牺牲层；以及形成模塑料结构，覆盖过所述横向层部当作所述盖帽层，其中所述开口被封闭。18.根据权利要求17所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，所述模塑料结构也覆盖所述导电围绕结构的外侧壁且在所述基板上。19.根据权利要求17所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，所述模塑料结构的材料是环氧树脂。20.根据权利要求17所述的制造表面音波组件的方法，其特征在于，所述导电围绕结构包括铜或电镀材料。3CN114553182A说明书1/5页表面音波组件结构及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体制造，且特别是涉及表面音波组件的结构及其制造方法。背景技术[0002]表面声波(SurfaceAcousticWave,SAW)是沿着弹性材料表面传播的声波，其振幅通常随进入材料的深度呈指数衰减。[0003]表面声波组件用于电