一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法.pdf
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一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法.pdf
一种增强型氮化镓基晶体管,自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层,在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极,P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围,钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间;栅电极与势垒层形成肖特基接触,源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触;沟道层与势垒层之间形成异质结,且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气,提高了器件的阈值电压,实现增强型器件的目的,P型氮化物帽层周围的栅电极解决了常规
带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法,由于在势垒层中插入氮化镓层,使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层,氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果,从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控,而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化,从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性,更利于工业化生产。
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氮化镓基LED外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法,其中,氮化镓基LED外延结构包括:依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层,其中,InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成;在每重周期结构中,InAlN层中的In组分为1%~25%。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层,在AlGaN电子阻挡层的基础上,进一步对电子进行阻挡,能够有效降低LED芯片在超大电流工作