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本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法,其中,氮化镓基LED外延结构包括:依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层,其中,InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成;在每重周期结构中,InAlN层中的In组分为1%~25%。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层,在AlGaN电子阻挡层的基础上,进一步对电子进行阻挡,能够有效降低LED芯片在超大电流工作时电子逃逸多量子阱垒区的几率,从而提高LED芯片在超大电流下的光效。