一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法.pdf
黛娥****ak
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一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法.pdf
本发明涉及一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法,结构包括:衬底层;GaN缓冲层,位于衬底层之上;AlGaN势垒层,位于GaN缓冲层之上,AlGaN势垒层的凹槽结构包括相通的第一凹槽和第二凹槽;第一P型氮化镓栅帽层、第二P型氮化镓栅帽层设置在凹槽结构中;栅电极位于P型氮化镓栅帽层之上;源电极和漏电极位于AlGaN势垒层上表面的两端;钝化层位于AlGaN势垒层之上;栅场板位于钝化层之上。本发明的增强型氮化镓器件结构避免了削弱器件栅控能力的问题,兼顾了器件的优秀输出特性与较高的阈值电压,较好地保留了氮化镓器件高
带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法,由于在势垒层中插入氮化镓层,使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层,氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果,从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控,而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化,从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性,更利于工业化生产。
一种氮化镓器件散热结构及其制备方法.pdf
本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法,包括:衬底,自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层;过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底,实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热,进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件.pdf
本发明公开了一种用于制备氮化镓射频器件的衬底,包括硅晶片及位于硅晶片上方的碳化硅薄膜,碳化硅薄膜与硅晶片键合成一体。本发明进一步公开了一种上述衬底的制备方法,包括步骤:S1、对碳化硅晶片进行离子注入,形成碳化硅薄膜;S2、将硅晶片与碳化硅薄膜进行键合;S3、退火使碳化硅薄膜与碳化硅晶片之间形成的界面裂开,碳化硅晶片与碳化硅薄膜分离;S4、对碳化硅薄膜表面进行抛光。一种氮化镓射频器件,包括器件主体、氮化镓层及氮化镓化合半导体层,还包括上述的衬底,所述硅晶片、所述碳化硅薄膜、氮化镓层、氮化镓化合半导体层及器件
一种氮化镓功率器件及其制备方法.pdf
本申请属于功率器件技术领域,提供了一种氮化镓功率器件及其制备方法,氮化镓功率器件包括:衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、第一漏极、第二漏极、盖帽层、P型基底,P型基底两侧分别形成第一N型掺杂区和第二N型掺杂区,钝化层设于P型基底与第二漏极之间,且第二漏极与第一漏极之间电连接,通过在氮化镓功率器件的栅极和源极之间形成一个高阈值电压的N型MOSFET,N型MOSFET在器件源漏极电压较高时导通,使得源极和栅极之间短路,从而使得氮化镓功率器件的栅极在源漏极电压较高依然无法被打开,使得器件可以承受