PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115433908A(43)申请公布日2022.12.06(21)申请号202210186102.1(22)申请日2022.02.28(30)优先权数据17/395,1862021.08.05US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号(72)发明人侯国隆廖维贞林明贤(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006专利代理师徐金国(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)C23C14/50(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法(57)摘要一种PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法，PVD(物理气相沉积)设备包括配置以窄化过滤溅镀粒子为粒子束的准直器、配置以支撑腔体内的基材的静电吸盘、屏蔽遮罩及腔体板。腔体板包括具有多个螺帽片的螺帽片部分与在腔体板中的多个孔洞，此些孔洞是配置以允许气体进入及排出，其中孔洞与螺帽片以相同数量提供。腔体是配置成在目标气压操作，且螺帽片的数量与对应的孔洞数量是取决于目标气压。CN115433908ACN115433908A权利要求书1/2页1.一种物理气相沉积设备的一腔体，其特征在于，该腔体包含：一准直器，配置以窄化过滤多个溅镀粒子为一粒子束；一静电吸盘，配置以支撑该腔体内的一基材；一屏蔽罩；以及一腔体板，包含：一螺帽片部分，具有多个螺帽片；以及多个孔洞，在该腔体板内，该些孔洞是配置允许气体进入与排出，其中该些孔洞与该些螺帽片是以实质三个的相同数量被提供；其中该腔体是配置以在一目标气压下操作，而该些螺帽片的一数量与该些孔洞的一对应数量是取决于该目标气压。2.如权利要求1所述的腔体，其特征在于，其中根据该些螺帽片的一调整程度，该些螺帽片是配置以改变该些孔洞的一尺寸。3.如权利要求2所述的腔体，其特征在于，其中该腔体的一气压是配置为根据该些螺帽片的该数量的至少一者的一调整程度来改变。4.如权利要求1所述的腔体，其特征在于，其中该些螺帽片是配置为在一预定时间间隔内被调整，以达到该目标气压。5.如权利要求1所述的腔体，其特征在于，其中该屏蔽罩是一沉积屏蔽罩，该沉积屏蔽罩是配置以防止该些溅镀粒子沉积在该基材以外的该腔体的一表面上。6.一种物理气相沉积设备的腔体板，其特征在于，其中该腔体板包含：一螺帽片部分，包含不多于一第一螺帽片、一第二螺帽片与一第三螺帽片，其中该第一螺帽片、该第二螺帽片与该第三螺帽片是配置成长度可调式；一第一孔洞，配置在该第一螺帽片与该第二螺帽片之间；一第二孔洞，配置在该第二螺帽片与该第三螺帽片之间；以及一第三孔洞，配置在该第三螺帽片与该第一螺帽片之间。7.一种具有物理气相沉积腔体的物理气相沉积设备的操作方法，其特征在于，其中一腔体板是配置于该物理气相沉积腔体中，该腔体板具有多个可调式螺帽片，且该操作方法包含：设定操作该物理气相沉积腔体的一目标气压；量测该物理气相沉积腔体的一操作气压；基于比较该操作气压与该目标气压的一结果，决定该些可调式螺帽片的一或多个可调参数；以及根据该些可调参数，调整一调整程度，以改变该些可调式螺帽片的一长度，而达到该目标气压。8.如权利要求7所述的操作方法，其特征在于，其中该调整该些可调式螺帽片的该长度的操作改变该腔体板内一或多个对应的多个孔洞的一尺寸。9.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，其中该方法还包含，对于判定该操作气压是大于该目标气压，调整一或多个该些可调式螺帽片，以增加该腔体板内相应的该些孔洞的一或多者的一尺寸。10.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，其中该操作方法还包含，对于判定该操2CN115433908A权利要求书2/2页作气压是小于该目标气压，调整一或多个该些可调式螺帽片，以降低该腔体板内相应的该些孔洞的一或多者的一尺寸。3CN115433908A说明书1/9页PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法技术领域[0001]本揭露是有关于一种物理气相沉积设备，特别是提供一种物理气相沉积设备的腔体与腔体板，以及此物理气相沉积设备的操作方法。背景技术[0002]本揭露大致相关于半导体元件及制造半导体元件的方法，特别是有关于半导体元件制程中所使用的设备。[0003]一种常用的半导体制程是物理气相沉积(physicalvapordeposition；PVD)，在物理气相沉积的期间，通过溅镀制程在基材上形成薄膜。通过以高能量离子(如在电浆中)撞击溅镀靶材可发生溅镀制程，以从溅镀靶材释放粒子。自由粒子接着自身附加在基材上，而形成薄膜。在溅镀过程中，腔体的气压必须适合于发生电浆激发。发