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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115472557A(43)申请公布日2022.12.13(21)申请号202210524763.0(22)申请日2022.05.13(30)优先权数据63/232,7472021.08.13US17/646,7702022.01.03US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人林翔伟(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图15页(54)发明名称互连结构及其形成方法(57)摘要本申请的实施例提供了一种互连结构及其形成方法。该方法包括:在第一介电层中形成第一导电部件,在第一导电部件上方形成第一金属帽并接触第一导电部件,在第一介电层和第一金属帽上方形成蚀刻停止层,在蚀刻停止层上方形成第二介电层;以及蚀刻第二介电层和蚀刻停止层以形成开口。第一导电部件暴露于开口。方法还包括:在开口的底部处选择性地沉积第二金属帽,在开口的底部处和第二金属帽上形成抑制剂膜,在开口中选择性地沉积导电阻挡件,去除抑制剂膜,以及用导电材料填充开口的剩余部分以形成第二导电部件。CN115472557ACN115472557A权利要求书1/2页1.一种形成互连结构的方法,包括:在第一介电层中形成第一导电部件;在所述第一导电部件上方形成第一金属帽并接触所述第一导电部件;在所述第一介电层和所述第一金属帽上方形成蚀刻停止层;在所述蚀刻停止层上方形成第二介电层;蚀刻所述第二介电层和所述蚀刻停止层以形成开口,其中,所述第一导电部件暴露于所述开口;在所述开口的底部处选择性地沉积第二金属帽;在所述开口的所述底部处和在所述第二金属帽上形成抑制剂膜;在所述开口中选择性地沉积导电阻挡件;去除所述抑制剂膜;以及用导电材料填充所述开口的剩余部分以形成第二导电部件。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述抑制剂膜包括碳和氢。3.根据权利要求1所述的方法,其中,在蚀刻所述蚀刻停止层之后,至少减薄所述第一金属帽。4.根据权利要求3所述的方法,其中,在蚀刻所述蚀刻停止层之后,蚀刻穿过所述第一金属帽,并且暴露所述第一导电部件的顶面的至少部分。5.根据权利要求3所述的方法,其中,在蚀刻所述蚀刻停止层之后,减薄所述第一金属帽,并且在选择性地沉积所述第二金属帽之后,通过减薄的所述第一金属帽将所述第二金属帽与所述第一导电部件完全分离。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述选择性地沉积所述第二金属帽包括沉积与所述第一金属帽相同的材料。7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述选择性地沉积所述第二金属帽包括沉积与所述第一金属帽不同的材料。8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述去除所述抑制剂膜包括烘烤工艺。9.一种互连结构,包括:第一导电部件,包括顶面,其中,所述顶面包括第一部分和第二部分;第一金属帽,位于所述顶面的所述第一部分上方并与所述顶面的所述第一部分接触;第二金属帽,与所述顶面的所述第二部分重叠;蚀刻停止层,位于所述第一金属帽上方并接触所述第一金属帽;介电层,位于所述蚀刻停止层上方;以及第二导电部件,位于所述蚀刻停止层和所述介电层中,其中,所述第二导电部件位于所述第二金属帽上方并接触所述第二金属帽。10.一种互连结构,包括:第一导电部件;第一金属帽,位于所述第一导电部件上方并接触所述第一导电部件;第二金属帽,位于所述第一导电部件上方并接触所述第一导电部件,其中,所述第一金属帽和所述第二金属帽彼此接触以形成可区分的界面;介电层,位于所述第一金属帽上方并与所述第一金属帽接触;以及2CN115472557A权利要求书2/2页第二导电部件,位于所述第二金属帽上方并接触所述第二金属帽。3CN115472557A说明书1/10页互连结构及其形成方法技术领域[0001]本申请的实施例涉及一种互连结构及其形成方法。背景技术[0002]集成电路包括互连结构,互连结构可以包括金属线和通孔以用作三维布线结构。互连结构的功能是将密集封装的器件正确连接在一起。[0003]金属线和通孔形成在互连结构中。金属线和通孔通常由镶嵌工艺形成。镶嵌工艺可以包括在介电层中形成沟槽和通孔开口,沉积阻挡层,然后用铜填充沟槽和通孔开口。在化学机械抛光(CMP)工艺之后,平整金属线的顶面,分别在沟槽和通孔开口中留下金属线和通孔。发明内容[0004]根据本发明的实施例的一个方面,提供了一种形成互连结构的方法,包括:在第一介电层中形成第一导电部件;在第一导电部件上方形成第一金属帽并接触第一导电部件;在第一介电层和第一金属帽上方形成蚀刻停止层;在蚀刻停止层上方形成第二介电层;蚀刻第二介电层和蚀刻停止层以形成开口,其中,第一导电部件