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N阱CMOS工艺①初始材料②外延生长③N阱扩散③N阱注入曝光氧化层的刻蚀N阱注入形成N阱④场区LOCOS(局部氧化)氮化硅的刻蚀沟道终止注入场氧的生长去除氮化硅⑤阈值调整采用一步调节方法重新生长二氧化硅(栅氧)⑥多晶硅淀积和光刻刻蚀多晶硅⑦源/漏注入P+离子注入N+离子注入⑧接触、金属化及保护层生长磷硅玻璃PSG光刻接触孔刻铝刻铝光刻8刻压焊孔掩膜版NMOSTransistorsPMOS晶体管衬底PNP管多晶电阻NSD和PSD电阻电容