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2022年拓荆科技主营业务及竞争优势分析一、拓荆科技:半导体薄膜沉积设备国产先锋,业绩迎来爆发期(一)国内半导体薄膜沉积设备龙头,硬核赛道稀缺标的拓荆科技成立于2010年,主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务,主要产品包括等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常态化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列。公司产品已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试,截至2022年2月,客户端累计流片量超过5000万片,引领半导体薄膜沉积设备国产化浪潮。目前,我国已成为全球规模最大、增速最快的集成电路市场。2021年以来国内晶圆厂加速扩产,国产替代逐步升温,公司抓住市场机遇提升国内市场占有率。公司招股书显示,2021年PECVD、SACVD、ALD三项设备销售额占营业收入的比重分别为89.11%、5.43%和3.78%。随着集成电路制造工艺向前发展,公司产品可以满足客户产线对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备要求。公司深耕薄膜沉积领域超过10年,是唯一实现半导体PECVD设备产业化的国产厂商。创立之初至2014年公司以研发为绝对重心,与中芯国际建立了密切的合作关系,2011年10月公司首台12英寸PEVCD出厂到中芯国际验证,2012年12月公司推出12英寸多反应腔PF-300T设备,一年后通过中芯国际产品线测试,随即在2014年获其首台订单,标志着公司在PECVD领域实现产业化应用,正式进军国内薄膜沉积设备市场。继PF-300T成功经过晶圆厂验证后,公司陆续推出PF-200T、HTM、ACHM等型号丰富PECVD设备生产线,持续提升竞争力,并不断拓展新客户,至今已进入中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等国内领先集成电路制造企业产线,打破国际龙头对国内市场垄断。为避免受限于产品单一化,应对集成电路制造工艺先进化需求,公司着手开拓ALD、SACVD领域,实现国内首个SACVD产业化应用,ALD研发生产技术领先。在PECVD、ALD及SACVD设备领域,公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备,关键性能指标达到国际同类水平,可满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。2020年11月,公司“十三五”国家重大专项通过验收,研发成果显著。(二)核心人员具备国际化的研发和管理经验公司现任主要管理技术团队具备丰富的相关领域的研发经验和先进经营管理理念。其中,公司创始人、董事、原董事长姜谦先生系美国布兰迪斯大学物理学博士,主要专长是半导体先进工艺技术及工艺集成等领域,曾任麻省理工学院材料科学工程中心研究员、英特尔公司工作研发部负责人、美国诺发和欣欣科技(沈阳)有限公司副总裁和执行董事。其多项关键发明成为半导体行业国际标准,拥有50余项专利,在行业内被誉为具有“一个人带动一个产业”的能力。公司董事长吕光泉先生先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职,主要从事薄膜沉积设备的研发工作。公司设备研发技术团队经验丰富,研发成果显著,先后承接四项国家重大科技专项/课题。拓荆科技已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司创始团队以归国海外专家为核心,立足核心技术研发,积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度,吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司,在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来,自主培养本土科研团队,随着多项产品的研发成功,公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至2021年9月,公司研发人员共有189名,占公司员工总数的44.06%。公司的研发技术团队结构合理,分工明确,专业知识储备深厚,产线验证经验丰富,是奠定公司技术实力的基石,保障了公司产品的市场竞争力。(三)股权激励提高公司活力,市场化薪酬巩固人才优势公司无控股股东和实际控制人。第一大股东为国家集成电路基金,持股26.48%,国投上海持股18.23%,中微公司持股11.20%。姜谦先生与其他7名自然人股东及11个公司员工持股平台签有一致行动协议,为一致行动人,合计持有15.19%股份。员工持股计划覆盖面大,且重点向研发技术人员、核心管理人员倾斜,符合半导体行业的行业特征。通过股权激励,公司建立健全了长效激励机制,充分调动了高级管理人员与骨干员工的工作积极性,提高了公司的凝聚力,增强了公司竞争力。公司目前有两家全资子公司。其中拓荆科技(北京)为客户华北区各产线提供所需高端薄膜装备研发、设备供应以及零部件备货、生产技术支持等服务;拓荆科技(上海)拟作为“ALD