内容提供者
免金属CMP的TSV工艺方法.pdf
2023-06-28
10金币
4.2MB
14页
萌运****魔王
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共14页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
免金属CMP的TSV工艺方法.pdf
本发明提供一种免金属CMP的TSV工艺方法，包括：提供晶圆作为衬底，在晶圆中形成盲孔，在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在晶圆上表面和盲孔内壁的绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层；对晶圆进行退火工艺；用湿法刻蚀工艺去除晶圆表面的阻挡层；利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和晶圆表面之间的台阶进行修正；在晶圆表面均匀涂覆一层第一介质层；实现第一介质层的图形化，在盲孔顶部位置形成第一介质层通孔；在第一
2023-06-28
10
4.2MB
基于TSV技术的CMP工艺优化研究.pptx
添加副标题目录PART01TSV技术原理TSV技术应用领域TSV技术优势TSV技术发展现状PART02CMP工艺原理CMP工艺应用领域CMP工艺优势CMP工艺发展现状PART03优化目标与思路关键技术问题与解决方案实验设计与方法实验结果与分析PART04技术发展对CMP工艺优化的影响TSV技术在CMP工艺优化中的未来发展方向TSV技术在CMP工艺优化中的潜在应用场景PART05研究结论研究不足与展望感谢您的观看
2024-10-09
20
827KB
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺.docx
TSVCuCMP碱性抛光液及工艺摘要铜的比表面积很大，加之与周围环境接触，容易发生氧化等化学反应，从而形成氧化物膜。这种氧化物膜影响着铜材的电性能、稳定性和可靠性。因此，在制备铜材时，一定要采取有效的方法去除氧化物，使其表面保持洁净。CMP(化学机械抛光)技术是在光学器件制造领域应用得较为广泛的，它能够对铜薄膜表面进行抛光，去除表面的杂质和氧化物，从而改善铜薄膜的表面质量。本文主要介绍TSVCuCMP碱性抛光液及工艺的研究和应用。关键词：TSV；CMP；铜薄膜；碱性抛光液；工艺1引言随着半导体工艺的不断发
2024-11-03
5
11KB
免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺.pdf
本发明提供一种免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，包括下述步骤：S1.提供一完成正面工艺的器件晶圆；器件晶圆包括衬底和衬底中的TSV盲孔；S2.提供一载片晶圆，利用临时键合工艺将器件晶圆正面与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S3.对器件晶圆的衬底背面进行机械研磨，从而进行减薄；S4.对衬底背面进行刻蚀，使得TSV盲孔露出衬底背面；S5.在器件晶圆的衬底背面涂覆背面介质层，完全覆盖步骤S4中TSV盲孔露出部分；S6.利用机械研磨工艺处理背面介质层，使得TSV盲孔从背面介质层中露出。本发明避免了硅通孔背面露头
2023-06-28
10
2.4MB
免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法.pdf
本发明提供一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法，包括以下主要步骤：在晶圆中形成盲孔，并在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层；对晶圆进行退火工艺；利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和阻挡层之间的台阶进行修正，使得该台阶趋于消失；在晶圆上表面制作第一层再布线结构，再布线工艺时利用晶圆上表面的阻挡层；利用湿法腐蚀工艺去除晶圆上表面第一层再布线结构的区域以外
2023-06-28
10
3.2MB