基于TSV技术的CMP工艺优化研究.pptx
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添加副标题目录PART01TSV技术原理TSV技术应用领域TSV技术优势TSV技术发展现状PART02CMP工艺原理CMP工艺应用领域CMP工艺优势CMP工艺发展现状PART03优化目标与思路关键技术问题与解决方案实验设计与方法实验结果与分析PART04技术发展对CMP工艺优化的影响TSV技术在CMP工艺优化中的未来发展方向TSV技术在CMP工艺优化中的潜在应用场景PART05研究结论研究不足与展望感谢您的观看
免金属CMP的TSV工艺方法.pdf
本发明提供一种免金属CMP的TSV工艺方法,包括:提供晶圆作为衬底,在晶圆中形成盲孔,在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层;在晶圆上表面和盲孔内壁的绝缘层上制作阻挡层和种子层;在盲孔中填充第二金属材料;利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层;对晶圆进行退火工艺;用湿法刻蚀工艺去除晶圆表面的阻挡层;利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和晶圆表面之间的台阶进行修正;在晶圆表面均匀涂覆一层第一介质层;实现第一介质层的图形化,在盲孔顶部位置形成第一介质层通孔;在第一
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺.docx
TSVCuCMP碱性抛光液及工艺摘要铜的比表面积很大,加之与周围环境接触,容易发生氧化等化学反应,从而形成氧化物膜。这种氧化物膜影响着铜材的电性能、稳定性和可靠性。因此,在制备铜材时,一定要采取有效的方法去除氧化物,使其表面保持洁净。CMP(化学机械抛光)技术是在光学器件制造领域应用得较为广泛的,它能够对铜薄膜表面进行抛光,去除表面的杂质和氧化物,从而改善铜薄膜的表面质量。本文主要介绍TSVCuCMP碱性抛光液及工艺的研究和应用。关键词:TSV;CMP;铜薄膜;碱性抛光液;工艺1引言随着半导体工艺的不断发
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基于CMP多核架构的Cache优化策略研究目录添加章节标题研究背景与意义CMP多核架构的概述Cache优化在CMP多核架构中的重要性研究目的与意义CMP多核架构的Cache组织结构Cache的基本概念与分类CMP多核架构中Cache的层次结构Cache一致性协议Cache优化策略研究缓存替换算法研究缓存预取技术研究缓存数据布局优化研究缓存并行化技术研究实验设计与结果分析实验平台与测试环境实验设计与方法实验结果与分析结果对比与性能评估结论与展望研究成果总结未来研究方向与展望THANKYOU