预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共12页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103474393A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103474393103474393A(43)申请公布日2013.12.25(21)申请号201310412558.6(22)申请日2013.09.11(71)申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司地址214135江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋(72)发明人薛恺于大全(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所32104代理人曹祖良(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图7页附图7页(54)发明名称免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法(57)摘要本发明提供一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,包括以下主要步骤:在晶圆中形成盲孔,并在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层;在绝缘层上制作阻挡层和种子层;在盲孔中填充第二金属材料;利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层;对晶圆进行退火工艺;利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和阻挡层之间的台阶进行修正,使得该台阶趋于消失;在晶圆上表面制作第一层再布线结构,再布线工艺时利用晶圆上表面的阻挡层;利用湿法腐蚀工艺去除晶圆上表面第一层再布线结构的区域以外的阻挡层;本工艺方法可以在满足TSV工艺集成要求的同时大幅降低TSV工艺的成本。CN103474393ACN103479ACN103474393A权利要求书1/1页1.一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.提供晶圆(1)作为衬底,在晶圆(1)中形成盲孔(3),并在晶圆(1)上表面和盲孔(3)的内壁上制作绝缘层(2);S2.在晶圆(1)上表面和盲孔(3)内壁的绝缘层(2)上制作阻挡层(401)和种子层(402);种子层(402)位于阻挡层(401)之外,种子层(402)的材料为金属;S3.在盲孔(3)中填充第二金属材料(5),所采用的第二金属材料(5)和种子层(402)的材料相同;S4.利用电化学抛光技术去除步骤S3填充盲孔(3)过程中在晶圆(1)表面的第二金属材料(5)和所述种子层(402);并控制盲孔(3)中填充的第二金属材料(5)的顶部和阻挡层(401)之间的台阶高度在-3um到3um之内;S5.对晶圆(1)进行退火工艺;S6.利用电化学抛光技术对盲孔(3)中填充的第二金属材料(5)的顶部和阻挡层(401)之间的台阶进行修正,使得该台阶趋于消失;S7.在晶圆(1)上表面制作第一层再布线结构(9),再布线工艺时利用晶圆(1)上表面的阻挡层(401);S8.利用湿法腐蚀工艺去除晶圆(1)上表面第一层再布线结构(9)的区域以外的阻挡层(401),使得阻挡层(401)图形化。2.如权利要求1所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于,所述步骤S8之后,还包括下述步骤:S9.在晶圆(1)上表面制作介质层(10);S10.在介质层(10)中制作连通第一层再布线结构(9)的通孔11;S11.在晶圆(1)的上表面制作微凸点结构(12)或焊盘结构,所述微凸点结构(12)或焊盘结构通过通孔(11)与第一层再布线结构(9)电连接。3.如权利要求1所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于:所述步骤S1中,具体利用深反应离子刻蚀工艺在晶圆(1)中形成盲孔(3)。4.如权利要求3所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于:所述盲孔(3)的深宽比大于等于3:1。5.如权利要求1所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于:所述步骤S2中,具体利用PVD工艺在晶圆(1)上表面和盲孔(3)内壁的绝缘层(2)上淀积制作阻挡层(401)和种子层(402)。6.如权利要求1所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于:所述阻挡层(401)的材料选自钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、氮化钨、钒、氮化钒、铌、氮化铌中的一种。7.如权利要求1所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于:所述步骤S3中,具体利用电镀工艺在盲孔(3)中填充第二金属材料(5)。8.如权利要求1所述的免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,其特征在于:所述种子层(402)的材料和盲孔(3)中填充的第二金属材料(5)均为铜。2CN103474393A说明书1/3页免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法技术领域[0001]本发明涉及一种封装技术,尤其是一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法。背景技术[0002]目前硅通孔的填充的主