HDI电路板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105873381A(43)申请公布日2016.08.17(21)申请号201510748010.8(22)申请日2015.11.06(71)申请人珠海市创元开耀电子材料有限公司地址519040广东省珠海市金湾区三灶科技工业园厂房A之B栋1-2号(72)发明人杨志刚吴香兰白四平王志建张金强程文则(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人刘林华周心志(51)Int.Cl.H05K3/46(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图8页(54)发明名称HDI电路板及其制造方法(57)摘要本发明涉及HDI电路板及其制造方法。一种制造HDI电路板的方法包括：使用单层电路板或多层电路板作为芯板，按照金属箔、中间贴合层、芯板、中间贴合层、芯板、……、中间贴合层、金属箔的顺序进行配板并层压，其中使用一个或多个芯板(S1)；在层压后的多层板上钻孔，其包括通孔和/或盲孔(S2)；在孔的孔壁形成导电籽晶层(S3)；去除金属箔的一部分以形成电路图案，从而制得多层电路板(S4)；以及将步骤S4中制得的多层电路板作为芯板，重复步骤S1至S4一次或多次，从而制得HDI电路板(S5)，其中，步骤S3包括通过离子注入将导电材料注入到孔壁下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层的至少一部分。CN105873381ACN105873381A权利要求书1/2页1.一种制造HDI电路板的方法，包括：S1：使用单层电路板或多层电路板作为芯板，按照金属箔、中间贴合层、芯板、中间贴合层、芯板、……、中间贴合层、金属箔的顺序进行配板并层压，其中使用一个或多个芯板；S2：在层压后的多层板上钻孔，其包括通孔和/或盲孔；S3：在所述孔的孔壁形成导电籽晶层；S4：去除所述金属箔的一部分以形成电路图案，从而制得多层电路板；以及S5：将步骤S4中制得的多层电路板作为芯板，重复步骤S1至S4一次或多次，从而制得HDI电路板，其中，步骤S3包括通过离子注入将导电材料注入到孔壁下方，以形成离子注入层作为所述导电籽晶层的至少一部分。2.一种制造HDI电路板的方法，包括：S1：使用单层电路板或多层电路板作为芯板，按照表面贴合层、芯板、中间贴合层、芯板、……、表面贴合层的顺序进行配板并层压，其中使用一个或多个芯板；S2：在层压后的多层板上钻孔，其包括通孔和/或盲孔；S3：在所述表面贴合层的外表面和所述孔的孔壁形成导电籽晶层；S4：在所述表面贴合层的外表面上形成电路图案，从而制得多层电路板；以及S5：将步骤S4中制得的多层电路板作为芯板，重复步骤S1至S4一次或多次，从而制得HDI电路板，其中，步骤S3包括通过离子注入将导电材料注入到所述表面贴合层的外表面下方和所述孔的孔壁下方，以形成离子注入层作为所述导电籽晶层的至少一部分。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述离子注入期间，所述导电材料的离子获得1-1000keV的能量，被注入到所述孔的孔壁下方和/或所述表面贴合层的外表面下方1-500nm的深度，并与所述孔的孔壁下方和/或所述表面贴合层的外表面下方的基材形成稳定的掺杂结构。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤S3还包括通过等离子体沉积将导电材料沉积到所述离子注入层上方，以形成等离子体沉积层，所述等离子体沉积层与所述离子注入层组成所述导电籽晶层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述等离子体沉积期间，所述导电材料的离子获得1-1000eV的能量，形成厚度为1-10000nm的等离子体沉积层。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，构成所述导电籽晶层的导电材料包括Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3之后、步骤S4之前，所述方法还包括：在所述导电籽晶层上形成导体加厚层。8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S4包括：先在所述导电籽晶层上形成导体加厚层，然后在位于所述表面贴合层的外表面上方的所述导体加厚层上进行图形电镀或全板电镀，从而得到所述电路图案。9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，通过电镀、化学镀、真空蒸发镀、溅射中的一种或多种，采用Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种来形成厚度为0.01-1000μm的所述导体加厚层。2CN105873381A权利要求书2/2页10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S4包括：直接在形成于所述表面贴合层的外表面的所述导电籽晶层上进行图形电镀或全板电镀，从而得到所述电路图案。11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在