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一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片.pdf
2023-06-28
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一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片.pdf
本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区，扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区；在光敏元四周生长单层Au形成P电极，在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层，通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔，依次生长Cr、Au形成加厚电极；所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个，形状为矩形，边长尺寸为5～10μm，线列或者面阵排列，中心距相同；所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极，内围尺寸相同。本发明
2023-06-28
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2023-06-28
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2023-06-28
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本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。所制备的探测器在量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀，增加少数
2023-06-28
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一种砷化铟纳米结构及基于砷化铟纳米结构的红外探测器.pdf
本发明属于红外探测器技术领域，提供一种用于红外探测的砷化铟纳米结构。其中，衬底和设置在所述衬底上的砷化铟纳米结构，所述砷化铟纳米结构至少包括一片状结构的砷化铟。本发明提供的砷化铟纳米结构具备较高的吸收率，进一步本发明提供的三叶草砷化铟纳米结构提高了宽光谱特性，且不具有偏振，在三叶草基础上进一步提供雪花结构，进一步提高吸收率。
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