一种砷化铟纳米结构及基于砷化铟纳米结构的红外探测器.pdf
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本发明属于红外探测器技术领域,提供一种用于红外探测的砷化铟纳米结构。其中,衬底和设置在所述衬底上的砷化铟纳米结构,所述砷化铟纳米结构至少包括一片状结构的砷化铟。本发明提供的砷化铟纳米结构具备较高的吸收率,进一步本发明提供的三叶草砷化铟纳米结构提高了宽光谱特性,且不具有偏振,在三叶草基础上进一步提供雪花结构,进一步提高吸收率。
一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片.pdf
本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片,包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区,扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区;在光敏元四周生长单层Au形成P电极,在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层,通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔,依次生长Cr、Au形成加厚电极;所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个,形状为矩形,边长尺寸为5~10μm,线列或者面阵排列,中心距相同;所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极,内围尺寸相同。本发明
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片.pdf
本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构,利用了载流子的侧向收集效应,产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收,在探测器量子效率不降低的前提下,光敏元响应均匀。另外,这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤,并引入双层钝化工艺减小表面复合,增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流;对于线列探测器,这种结构可以有效地降低盲元率,抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降
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砷化铟纳米线表面等离激元近场成像研究的开题报告砷化铟作为III-V族半导体材料,具有独特的光电性质,广泛应用于光子学和电子学领域。纳米线作为一种新型纳米材料,具有高比表面积、垂直生长、大小可控等优势,被认为是下一代纳米电子器件的重要候选材料之一。等离子体振荡的产生是等离子体物理的核心问题之一,等离子体振荡在界面处的表面等离子体(SurfacePlasmonPolariton,SPP)形成了一种新型的局域化的光子态。SPP在微纳尺度内具有超强的光场局域化效应和增强的非线性光学效应,这使得SPP在各种电子产品
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本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法,步骤包括:1)外延材料清洗,2)淀积氮化硅扩散掩膜,3)第一次光刻,4)开扩散窗口,5)光刻胶剥离,6)闭管扩散,7)开管取片,8)第二次光刻,9)生长P电极,10)光刻胶剥离,11)淀积二氧化硅增透膜,12)P电极退火,13)第三次光刻,14)开P电极孔,15)光刻胶剥离,16)第四次光刻,17)加厚P电极,18)光刻胶剥离,19)背面抛光,20)生长N电极,21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域,可有效地减少扩散带来的热