一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法与应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110062521A(43)申请公布日2019.07.26(21)申请号201910323540.6H01L23/498(2006.01)(22)申请日2019.04.22H01L21/48(2006.01)(71)申请人广州钰芯智能科技研究院有限公司地址510000广东省广州市海珠区新港西路135号大院中大蒲园区628栋中大科技园A座自编号902室(72)发明人陈锦标奚亚男(74)专利代理机构佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙)44387代理人颜德昊(51)Int.Cl.H05K1/03(2006.01)H05K1/18(2006.01)H05K3/34(2006.01)H01L23/15(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法与应用(57)摘要本发明提供了一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法与应用，包括陶瓷基板、高分子复合基板及与IC芯片的BGA/CSP整体封装技术。陶瓷基板上层修饰电路，下层修饰铜层，并加工HDI微孔铜柱与上下表面电路相连传热，并与线路板互连进行讯号传输。高分子复合基板上下两面覆铜，通孔填铜并与埋入的陶瓷基板下层相连导热。本发明将陶瓷基板埋入高分子复合基板，露在外面的陶瓷基板电路层上用CSP技术焊接IC芯片并用通孔与盲孔引线连接到PCB各层，作为整体模块提高导热性能与可靠性能，可用于5G通讯模组，减小信号失真度，提高信号传输速率。CN110062521ACN110062521A权利要求书1/1页1.一种陶瓷基板与高分子复合基板，其特征在于，所述陶瓷基板埋入所述高分子复合基板，露在外面的陶瓷基板电路层上安装IC芯片。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷为氮化铝、氧化铝、氧化铍或碳化硅。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板打有贯通孔，在孔中电镀填铜，可传导热量，传输信号。4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上、下层安装铜基底，并与所述陶瓷基板的微孔铜柱对位互连。5.根据权利要求1所述的IC芯片，其特征在于，所述IC芯片在PAD点上植放锡球，并与所述陶瓷基板上层铜基底对位互连。6.根据权利要求1所述的一种高分子复合基板，其特征在于，所述高分子复合基板上下层均电镀铜层，为高分子覆铜板。7.根据权利要求1所述的一种高分子复合基板，其特征在于，所述高分子基板为FR-4、MG、BT、PTFE或金属类基板。8.根据权利要求1所述的一种高分子复合基板，其特征在于，所述高分子复合基板打孔后电镀填充导热铜柱，与嵌入的陶瓷基板下层铜焊盘相连，可传导热量。9.根据权利要求1～8所述的一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在陶瓷基板上加工微导孔；(2)在陶瓷基板上加工HDI填孔铜柱；(3)在陶瓷上、下层安装铜基底，并与HDI微孔铜柱对位互连；(4)将锡球植放到IC芯片PAD点上；(5)将IC芯片有源区面对陶瓷基板，通过芯片上呈阵列排列的锡球与陶瓷基板上层铜基底对位互连，并与HDI微孔连通，制成陶瓷封装基板；(6)在高分子基板表面电镀铜层，制得高分子覆铜板；(7)在高分子覆铜板内挖洞；(8)将制备好的陶瓷封装基板埋入高分子覆铜板的孔洞；(9)将埋入陶瓷基板的高分子覆铜板进行通孔镀铜，并用引线连通陶瓷封装基板下层铜焊盘，传导到高分子基板各层，封装加工后得到整体PCB封装模块。10.根据权利要求1～9所述的陶瓷基板与高分子复合基板的SiP封装模块，其特征在于，所述SiP封装模块用于电子通讯领域元件封装加工，所述电子通讯领域优选5G通讯领域。2CN110062521A说明书1/7页一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法与应用技术领域[0001]本发明属于PCB印刷线路板及电子通讯元件领域，涉及一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法，尤其是该复合基板及封装模块在电子通讯领域中的应用。背景技术[0002]PCB(PrintedCircuitBoard)印刷电路板，又称印刷线路板，是电子元器件的支撑体，亦是电子元器件电器连接的载体。PCB被广泛应用于各种电子设备，其设计与质量将直接影响整体质量与成本，在不同应用领域中，对于PCB的材料与性能要求也有不同。[0003]随着社会经济发展以及人们对无线通讯技术的要求，蜂窝无线电通信技术已经由第四代蜂窝通信(4G)迈入第五代蜂窝通信(5G)时代。[0004]要在现有4G技术的基础上进入5G时代，不仅需要5G网络，更需要5G配套设备以及终端技术的支持。因此在电子通讯领域，作为各种元器件的载