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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110828317A(43)申请公布日2020.02.21(21)申请号201810906876.0(22)申请日2018.08.10(71)申请人欣兴电子股份有限公司地址中国台湾桃园市龟山区龟山工业区兴邦路38号(72)发明人柯正达杨凯铭陈裕华曾子章(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人吴志红臧建明(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图22页(54)发明名称封装基板结构与其接合方法(57)摘要本发明提供一种封装基板结构,包括第一基板、第二基板、多个导电柱以及黏着层。第一基板包括多个盲孔以及多个接垫。这些盲孔以及这些接垫设置于第一基板上,且填入这些盲孔。第二基板相对于第一基板设置。各导电柱位于第一基板与第二基板之间,电性连接各接垫以及第二基板,且各导电柱填满各盲孔。黏着层设置于第一基板与第二基板之间,且黏着层填满这些导电柱之间的间隙。一种封装基板结构的接合方法也被提出。CN110828317ACN110828317A权利要求书1/2页1.一种封装基板结构,其特征在于,包括:第一基板,包括:多个盲孔,设置于所述第一基板上;以及多个接垫,设置于所述第一基板上,且填入所述多个盲孔;第二基板,相对所述第一基板设置:多个导电柱,各所述导电柱位于所述第一基板与所述第二基板之间,电性连接各所述接垫以及所述第二基板,且各所述导电柱填满各所述盲孔;以及黏着层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间,且所述黏着层填入于所述多个导电柱之间的间隙。2.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,各所述接垫与各所述盲孔共形。3.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,各所述接垫具有凹槽,且各所述导电柱电性连接各所述凹槽。4.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,所述黏着层包括非光敏黏合剂或光敏黏合剂的其中一者。5.根据权利要求4所述的封装基板结构,其特征在于,还包括:高分子黏合层设置于所述黏着层上,所述黏着层以及所述高分子黏合层填入于所述多个导电柱之间的间隙。6.一种封装基板结构的接合方法,其特征在于,包括:提供第一基板,在所述第一基板上形成多个盲孔;设置多个接垫于所述第一基板上,各所述接垫填入各所述盲孔;提供第二基板,所述第二基板设置于载板上;形成多个导电柱于所述第二基板上;设置黏着层于所述第一基板与所述第二基板之间,且所述黏着层填入于所述多个导电柱之间的间隙;压合所述多个导电柱至所述多个接垫,以使各所述导电柱电性连接各所述接垫并填满各所述盲孔;以及移除所述载板。7.根据权利要求6所述的封装基板结构的接合方法,其特征在于,在所述第一基板中形成所述多个盲孔的步骤包括:提供第一基底并在所述第一基底上形成介电材料;以及图案化所述介电材料以形成具有所述多个盲孔的介电层,并暴露出部分所述第一基底。8.根据权利要求7所述的封装基板结构的接合方法,其特征在于,设置所述多个接垫于所述第一基板上的步骤包括:形成金属界面层于所述介电层上,并填入所述多个盲孔;形成覆盖所述金属界面层的图案化保护层,以暴露出填入所述多个盲孔中的部分所述金属界面层;自暴露出的部分所述金属界面层形成所述多个接垫;以及移除所述图案化保护层以及所述图案化保护层所覆盖的所述金属界面层。2CN110828317A权利要求书2/2页9.根据权利要求8所述的封装基板结构的接合方法,其特征在于,还包括:形成凹槽于各所述接垫上,且各所述导电柱电性连接各所述凹槽。10.根据权利要求6所述的封装基板结构的接合方法,其特征在于,还包括:设置高分子黏合层于所述黏着层上,所述黏着层以及所述高分子黏合层填入于所述多个导电柱之间的间隙。3CN110828317A说明书1/9页封装基板结构与其接合方法技术领域[0001]本发明涉及一种封装技术,尤其涉及一种封装基板结构与其接合方法。背景技术[0002]随着半导体封装技术的演进,半导体装置(semiconductordevice)已开发出不同的封装方式,例如:打线式(wirebonding)、覆晶式(flipchip)或混合式(hybrid,即覆晶式配合打线式)。在追求高效能及缩小封装体积的过程中,细线路的体积愈趋精细化,阻值会愈加地提高,进而降低效能。[0003]目前已有使用铜结构制作细线路以降低阻值,并进行接合的封装技术。然而,现行铜接合所能达到的实施条件为温度300℃至450℃且需高达300MPa的压力,且接合后通常需要退火处理。此外,于接合前,铜结构的表面需要良好清洁且须通过化学研磨制程(chemical-mechanicalplanarization,CMP)以得到