玻璃盲孔加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111816608A(43)申请公布日2020.10.23(21)申请号202010654067.2(22)申请日2020.07.09(71)申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号申请人成都迈科科技有限公司(72)发明人方针陈宏伟高莉彬张继华陈雨哲曲胜邹思月王文君蔡星周穆俊宏(74)专利代理机构成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙)51241代理人李鹏(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/532(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图6页(54)发明名称玻璃盲孔加工方法(57)摘要本发明提供了一种玻璃盲孔加工方法，包括a、深孔刻蚀；b、深孔侧壁沉积附着层：b1、将高聚物溶液滴涂在玻璃基板表面，确保高聚物溶液覆盖玻璃基板表面；b2、将玻璃基板转移至压上强低于大气压的环境中，静置，使高聚物溶液填充深孔；b3、将玻璃基板固定在转盘，玻璃基板的中心偏离转盘的回转中心，驱动转盘转动，将玻璃基板表面和深孔内的高聚物溶液甩掉；b4、烘干使玻璃基板表面和深孔侧壁残存的高聚物溶液固化，形成高聚物附着膜；c、侧壁沉积种子层；d、深孔内铜填充；e、表面CMP以及RDL布线制作。本发明制得的TSV具有高热‑机械可靠性，优异电学性能，可以对孔径3μm，深度45μm的深孔进行加工，符合TSV小型化的发展趋势。CN111816608ACN111816608A权利要求书1/1页1.玻璃盲孔加工方法，其特征在于，包括a、深孔刻蚀；b、深孔侧壁沉积附着层：b1、将高聚物溶液滴涂在玻璃基板表面，确保高聚物溶液覆盖玻璃基板表面；b2、将玻璃基板转移至压强低于大气压的环境中，静置，使高聚物溶液填充深孔；b3、将玻璃基板固定在转盘，玻璃的中心偏离转盘的回转中心，驱动转盘转动，将玻璃基板表面和深孔内的高聚物溶液甩掉；b4、烘干使玻璃基板表面和深孔侧壁残存的高聚物溶液固化，形成高聚物附着膜；c、侧壁沉积种子层；d、深孔内铜填充；e、表面CMP以及RDL布线制作。2.如权利要求1所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤b2中，将玻璃基板转移至压强为50-150Pa的环境中，静置8-15min。3.如权利要求2所述的硅基通孔加工方法，其特征在于，步骤b2中，将玻璃基板转移至压强为100Pa的环境中，静置10min。4.如权利要求1所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤b1中，高聚物溶液为PI-5J聚酰亚胺溶液。5.如权利要求4所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤c包括：c1、采用四甲基氢氧化铵溶液对高聚物附着层进行表面清洗，然后将玻璃基板转移至四甲基氢氧化铵溶液中浸润，附着层表层的聚酰亚胺环会发生裂解反应形成聚酰胺酸层；c2、将玻璃基板转移至催化剂溶液中进行离子吸附和交换反应，催化剂溶液中的钯离子与聚酰胺酸层中的(CH3)4N+离子反生置换，使附着层表面均匀地吸附钯离子，形成钯催化层；c3、化学镀，在钯催化层表面形成镍层。6.如权利要求5所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤c3中，化学镀镍溶液的PH为4.2-4.8。7.如权利要求5所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤c1中，将玻璃基板转移至四甲基氢氧化铵溶液后，将四甲基氢氧化铵溶液在50-300Pa的环境中静置5-10min。8.如权利要求5所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤c3中，化学镀的温度为65-80℃。9.如权利要求1所述的玻璃盲孔加工方法，其特征在于，步骤d中，采用电镀的方式在深孔内填充铜，电镀液中，加速剂的浓度为11.5mL/L-15mL/L，抑制剂9.5-15.5mL/L，平整剂4.7-5.4mL/L。2CN111816608A说明书1/10页玻璃盲孔加工方法技术领域[0001]本发明涉及三维集成封装转接板制造技术领域，尤其是一种玻璃盲孔加工方法。背景技术[0002]3D封装是目前工业界最成熟的集成类别，主要通过封装将裸芯片或单独封装好的芯片堆叠在一起，目前包括许多不同的技术，其中大部分是现有单芯片封装技术往三维方向的扩展。转接板(Interposer)，也被称为插入层或中间层，是一种新型的电子基板，能够实现顶部管芯级的细间距I/O与底部封装级较大尺寸大间距I/O之间的互连。玻璃转接板是一种新型的转接板，玻璃转接板上设置了许多的玻璃盲孔,玻璃盲孔(TGV)穿过玻璃衬底延伸互连，实现垂直集成的同时缩短了互连长度，从而减小尺寸，重量和功耗，是目前2.5D/3D集成技术的基础和核心。[0003]目前各大企业、高校或研究机构针对于TGV的各个方面已经展开了深入的研究，主要集中在TGV制造工艺，TGV相关电学、热-机械可靠性分析，以及TGV与C