一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112086436A(43)申请公布日2020.12.15(21)申请号202010995497.0H01L31/0224(2006.01)(22)申请日2020.09.21H01L31/18(2006.01)(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所地址130033吉林省长春市长春经济技术开发区东南湖大路3888号(72)发明人宋航陈一仁张志伟蒋红缪国庆李志明(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王晓坤(51)Int.Cl.H01L23/552(2006.01)H01L27/144(2006.01)H01L31/0216(2014.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法(57)摘要本申请公开了一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法，探测器包括探测器阵列、读出电路、钝化层、具有第一通孔的金属层、具有第二通孔的绝缘层、填充物层、连接柱；金属层位于钝化层的下表面，第一通孔对应探测器阵列中的P型电极，且第一通孔的尺寸小于P型电极的尺寸，以使金属层对应探测器阵列中的台面阵列间隙和台面阵列表面未被P型电极覆盖的区域；绝缘层位于金属层的下表面和第一通孔中，第二通孔对应第一通孔，且第二通孔的尺寸小于第一通孔的尺寸。日盲紫外焦平面成像探测器中的绝缘层避免金属层与读出电路之间发生短路，金属层避免可见光通过阵列台面间隙入射到读出电路上，进而提高日盲紫外焦平面成像探测器的日盲/可见抑制比。CN112086436ACN112086436A权利要求书1/2页1.一种日盲紫外焦平面成像探测器，其特征在于，包括探测器阵列、读出电路、钝化层、具有第一通孔的金属层、具有第二通孔的绝缘层、填充物层、连接柱；所述金属层位于所述钝化层的下表面，所述第一通孔对应所述探测器阵列中的P型电极，且所述第一通孔的尺寸小于所述P型电极的尺寸，以使所述金属层对应所述探测器阵列中的台面阵列间隙和台面阵列表面未被所述P型电极覆盖的区域；所述绝缘层位于所述金属层的下表面和所述第一通孔中，所述第二通孔对应所述第一通孔，且所述第二通孔的尺寸小于所述第一通孔的尺寸。2.如权利要求1所述的日盲紫外焦平面成像探测器，其特征在于，所述金属层为铝层或者金层。3.如权利要求1或2所述的日盲紫外焦平面成像探测器，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层或者氮化硅层。4.如权利要求3所述的日盲紫外焦平面成像探测器，其特征在于，所述读出电路为CMOS读出电路或者CCD读出电路。5.如权利要求4所述的日盲紫外焦平面成像探测器，其特征在于，所述金属层的厚度取值范围为200nm～300nm，包括端点值。6.如权利要求5所述的日盲紫外焦平面成像探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度取值范围为200nm～1μm，包括端点值。7.一种日盲紫外焦平面成像探测器制备方法，其特征在于，包括：获得探测器阵列；在所述探测器阵列的上表面制备钝化层；在所述钝化层的上表面涂覆光刻胶层，并进行曝光、显影，以使所述光刻胶层对应所述探测器阵列中的台面阵列间隙和台面阵列表面未被P型电极覆盖的区域形成镂空区域，且所述光刻胶层的尺寸小于对应的所述P型电极的尺寸；在所述光刻胶层的上表面制备金属层，并去除所述光刻胶层和层叠在所述光刻胶层表面的金属层，以使所述金属层具有第一通孔；在所述金属层的上表面制备绝缘层；对位于所述第一通孔内的所述绝缘层和所述钝化层进行刻蚀形成第二通孔，且所述第二通孔的尺寸小于所述第一通孔的尺寸，所述第二通孔止于所述P型电极的表面，得到处理后探测器阵列；利用倒装焊接技术使读出电路和所述处理后探测器阵列通过连接柱相连，并在所述读出电路和所述绝缘层之间形成填充物层。8.如权利要求7所述的日盲紫外焦平面成像探测器制备方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层的上表面制备金属层包括：利用电子束蒸镀工艺或者磁控溅射工艺在所述光刻胶层的上表面制备所述金属层。9.如权利要求8所述的日盲紫外焦平面成像探测器制备方法，其特征在于，所述在所述金属层的上表面制备绝缘层包括：利用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述金属层的上表面制备所述绝缘层。10.如权利要求9所述的日盲紫外焦平面成像探测器制备方法，其特征在于，所述对位于所述第一通孔内的所述绝缘层和所述钝化层进行刻蚀形成第二通孔包括：2CN112086436A权利要求书2/2页利用光刻和等离子体刻蚀工艺，对位于所述第一通孔内的所述绝缘层和所述钝化层进行刻蚀形成所述第二通孔。3CN112086436A说明书1/6页一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法技术领域[0001]本申请涉及光电探测器技术领域，特别是涉及一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法