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DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备.pdf
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本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元，预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，实现了矩阵跳转访问，模拟了非连续访问的情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的
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本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，基于预设间隔以预设测试单元为单位对待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完待测试的DRAM的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据向目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，能够模拟具有一定间隔的非连续的访问方式，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使桥接故障和耦合故障等多存储单元故障得到
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本发明公开了一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，对于遍历到的目标预设操作位，基于预设测试数据向目标预设操作位及与目标预设操作位相邻的相邻预设操作位按照预设顺序进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，由于耦合故障在特定情况下才能够被激发，比如相邻的存储单元之间存在大幅度的电势差，向目标预设操作位及相邻预设操作位进行数据写入和读取，模拟该情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使
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