DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112885399A(43)申请公布日2021.06.01(21)申请号202110085435.0(22)申请日2021.01.22(71)申请人深圳佰维存储科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、5楼(72)发明人孙成思孙日欣雷泰(74)专利代理机构深圳市博锐专利事务所44275代理人任芹玉(51)Int.Cl.G11C29/04(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图9页(54)发明名称DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备(57)摘要本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，基于预设间隔以预设测试单元为单位对待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完待测试的DRAM的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据向目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，能够模拟具有一定间隔的非连续的访问方式，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使桥接故障和耦合故障等多存储单元故障得到激发，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。CN112885399ACN112885399A权利要求书1/2页1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：对所述待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；所述测试包括：对待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；基于预设间隔以预设测试单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元；对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；第一轮测试与第二轮测试的第一预设读写单元不同；根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述对待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括：以预设突发长度为单位从所述待测试的DRAM的每一第二预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据。3.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述基于预设间隔以预设测试单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元包括：从每一第一预设读写单元的预设位置开始，对每一所述第一预设读写单元中每间隔预设间隔的所有预设测试单元进行遍历；所述待测试的DRAM中每间隔预设间隔的所有预设测试单元中沿第一预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔，沿第二预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔；将每一所述第一预设读写单元的预设位置设置为与其相邻的下一位置，并返回执行从每一第一预设读写单元的预设位置开始步骤直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元。4.根据权利要求3所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述待测试的DRAM中每间隔预设间隔的所有预设测试单元中沿第一预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔，沿第二预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔包括：根据所述预设间隔循环选取对应的连续个数的第一预设读写单元直至遍历完所述待测试的DRAM的所有第一预设读写单元；对于每次选取的所述连续个数的第一预设读写单元中，按照所述第一预设读写单元的序号顺序各个第一预设读写单元的预设位置依次递增一。5.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较包括：读取所述目标测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；向所述目标测试单元写入所述预设测试数据的反数，并读取所述目标测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较。6.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述第一预设2CN112885399A权利要求书2/2页读写单元包括行或列。7.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果包括：若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。8.一种DRAM测试装置，其特征在于，包括：数据读写模块，用于对