DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113035259A(43)申请公布日2021.06.25(21)申请号202110245490.1(22)申请日2021.03.05(71)申请人深圳佰维存储科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、5楼(72)发明人孙成思孙日欣雷泰(74)专利代理机构深圳市博锐专利事务所44275代理人刘晓燕(51)Int.Cl.G11C29/08(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图7页(54)发明名称DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备(57)摘要本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元，预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，实现了矩阵跳转访问，模拟了非连续访问的情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。CN113035259ACN113035259A权利要求书1/2页1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；所述测试包括：对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元，所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元；对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括：以预设突发长度为单位从所述待测试的DRAM的存储阵列的每一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；所述预设读写单元包括行或列。3.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元包括：以预设测试单元为单位对所述存储阵列按照预设方向进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元。4.根据权利要求3所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述预设方向包括行方向或列方向；所述第一轮测试和所述第二轮测试的预设方向不同。5.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作包括：基于所述预设测试数据按照所述目标测试单元中各个存储体的序号顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作。6.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数；所述第二轮测试还包括步骤：读取所述待测试的DRAM的所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较。7.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果包括：若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。8.一种DRAM测试装置，其特征在于，包括：数据读写模块，用于对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比2CN113035259A权利要求书2/2页较结果；所述测试包括：对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元，所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元；对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；第一轮