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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110931576A(43)申请公布日2020.03.27(21)申请号201911241730.X(22)申请日2019.12.06(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所地址130033吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号(72)发明人刘可为王丽嫣陈星申德振张振中李炳辉(74)专利代理机构深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)44316代理人曹卫良(51)Int.Cl.H01L31/0232(2014.01)H01L31/09(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种日盲紫外探测器及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种日盲紫外探测器,包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列,以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极;所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同、相邻两个金属纳米粒子的间距相同。本发明还提供了一种日盲紫外探测器的制备方法,通过等离子体增强分子束外延法在衬底表面上沉积MgZnO薄膜,并采用聚苯乙烯微球刻印技术在MgZnO薄膜表面形成金属纳米阵列。本发明的日盲紫外探测器在紫外乃至深紫外波段对光的吸收强,在其他波段对光的吸收弱,能选择特定波长增强吸收,体现出良好的波长选择性,具有更高的光响应度、探测率以及灵敏度。CN110931576ACN110931576A权利要求书1/1页1.一种日盲紫外探测器,其特征在于,包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列,以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极;所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同、相邻两个金属纳米粒子的间距相同。2.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底、石英衬底、氧化锌衬底或氧化镁衬底中的任意一种,所述衬底的厚度为400~450μm。3.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器,其特征在于,所述MgZnO薄膜的厚度为500~800nm。4.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器,其特征在于,所述金属纳米阵列的材质为Al、Ag、Au及其合金中的任意一种。5.根据权利要求4所述的日盲紫外探测器,其特征在于,所述金属纳米阵列中所有金属纳米颗粒的粒径均为100nm,相邻两个金属纳米颗粒的间距为400~600nm。6.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器,其特征在于,所述叉指电极为金属叉指电极,指间距≥1mm。7.根据权利要求6所述的日盲紫外探测器,其特征在于,所述两个电极的材质为Al、Ag、Au中的任意一种,材质选择相互独立。8.一种日盲紫外探测器的制备方法,用于制备如权利要求1-7中任意一项所述的日盲紫外探测器,其特征在于,包括以下步骤:S1:在所述衬底表面制备所述MgZnO薄膜;S2:在所述MgZnO薄膜表面采用自组装技术制备聚苯乙烯微球阵列;S3:以所述聚苯乙烯微球阵列为模板制备金属薄膜;S4:对所述金属薄膜进行超声去除所述聚苯乙烯微球阵列,再退火处理,得到分布在所述MgZnO薄膜表面的所述金属纳米阵列;S5:在表面分布有所述金属纳米阵列后的所述MgZnO薄膜表面制备所述叉指电极。9.根据权利要求8所述的日盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中制备所述MgZnO薄膜的方法为等离子体增强分子束外延法;所述步骤S3中制备所述金属薄膜的方法为离子溅射法、热蒸发法、磁控溅射法中的任意一种。10.根据权利要求8所述的日盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中退火的温度根据所述金属纳米阵列的材质设计。2CN110931576A说明书1/5页一种日盲紫外探测器及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及深紫外探测技术领域,尤其涉及一种日盲紫外探测器及其制备方法。背景技术[0002]深紫外光一般指波长100nm到280nm之间的光波,其在杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。根据相关统计数据估计,全球深紫外光应用市场规模高达数十亿美元,目前这类光源主要以氙灯、汞灯等气体光源为主。紫外探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器,利用光电效应把光学辐射转化成电学信号。紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中,日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外(波长小于290nm),而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低;光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。[0003]在传统能源越来越珍贵的今天,半导体发光体作为节能材料,其发光效率的提高具有越来越重要的意义。金属表面等离激元以其特殊的性质,成为提高半导体发光效率的有效