芯片封装结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114695283A(43)申请公布日2022.07.01(21)申请号202011584370.6(22)申请日2020.12.28(71)申请人欣兴电子股份有限公司地址中国台湾桃园市龟山区山莺路179号(72)发明人林溥如杨凯铭柯正达(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师张娜黄健(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/00(2006.01)H01L23/29(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图8页(54)发明名称芯片封装结构及其制作方法(57)摘要本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片、应力缓冲层、第一绝缘层、重配置线路层、第二绝缘层及焊球。芯片具有主动面、背面及周围表面。应力缓冲层覆盖主动面与周围表面，而第一绝缘层配置于芯片的背面上。应力缓冲层的底面切齐于芯片的背面。重配置线路层通过应力缓冲层的开口与芯片电性连接。第二绝缘层覆盖应力缓冲层以及重配置线路层。焊球配置于第二绝缘层的盲孔内，且与重配置线路层电性连接。焊球的顶面突出于第二绝缘层的上表面。本发明的芯片封装结构可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。CN114695283ACN114695283A权利要求书1/2页1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面；应力缓冲层，覆盖所述芯片的所述主动面与所述周围表面，且具有暴露出所述芯片的部分所述主动面的开口；第一绝缘层，配置于所述芯片的所述背面上，其中所述应力缓冲层延伸配置于所述第一绝缘层上，且所述应力缓冲层的底面切齐于所述芯片的所述背面；重配置线路层，配置于所述芯片的所述主动面上，且延伸至所述应力缓冲层的所述开口内，所述重配置线路层通过所述开口与所述芯片电性连接；第二绝缘层，覆盖所述应力缓冲层以及所述重配置线路层，且具有暴露出部分所述重配置线路层的盲孔；以及焊球，配置于所述第二绝缘层的所述盲孔内，且与所述重配置线路层电性连接，所述焊球的顶面突出于所述第二绝缘层的上表面。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述重配置线路层包括线路层与导电通孔，所述导电通孔位于所述线路层与所述芯片的所述主动面之间，所述芯片通过所述导电通孔与所述线路层电性连接。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层具有第一周围表面，所述第二绝缘层具有第二周围表面，所述应力缓冲层具有第三周围表面，所述第二周围表面切齐于所述第三周围表面与所述第一周围表面。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：表面处理层，配置于所述第二绝缘层的所述盲孔所暴露出的所述重配置线路层上，其中所述焊球通过所述表面处理层与所述重配置线路层电性连接。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度大于0且小于等于1微米。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的材质不同于所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层的材质。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的材质包括硅烷偶合剂聚合物、硅橡胶、环氧树脂或感光型介电材料。8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层包括味之素增层膜或封装胶层。9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层的材质相同。10.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层的材质不同。11.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：配置彼此分离的多个芯片于第一绝缘层上，其中所述多个芯片中的每一个具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面，所述多个芯片中的每一个的所述背面直接接触所述第一绝缘层；形成应力缓冲层于所述第一绝缘层上，所述应力缓冲层延伸覆盖所述多个芯片中的每一个的所述主动面与所述周围表面，且所述应力缓冲层的底面切齐于所述芯片的所述背2CN114695283A权利要求书2/2页面；形成第二绝缘层以覆盖所述应力缓冲层；形成重配置线路层于所述第二绝缘层内，其中所述应力缓冲层具有暴露出所述芯片的部分所述主动面的开口，而所述重配置线路层通过所述开口与所述芯片电性连接；形成彼此分离的多个盲孔于所述第二绝缘层内，其中所述多个盲孔暴露出部分所述重配置线路层；形成多个焊球分别于所述多个盲孔内，其中所述多个焊球与所述多个盲孔所暴露出的所述重配置线路层电性连接，且所述多个焊球中的每一个的顶面突出于所述第二绝缘层的上表面；以及进行单体化程序，以切割所述第二绝缘层