芯片封装结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031217A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310152832.4H01L21/56(2006.01)(22)申请日2023.02.22H01L21/60(2006.01)(71)申请人苏州晶方半导体科技股份有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区汀兰巷29号(72)发明人李瀚宇(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235专利代理师沈晓敏(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/485(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L23/00(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称芯片封装结构及其制作方法(57)摘要本发明揭示了一种芯片封装结构及其制作方法，包括：芯片，具有设置有焊盘的下表面和与下表面相背的上表面，芯片上表面相对焊盘位置处设置第一凹槽，第一凹槽暴露出焊盘上表面；第一绝缘层，设置于芯片上表面侧和第一凹槽的侧表面；第一金属层，设置于第一绝缘层表面，并延伸覆盖至焊盘上表面；第二绝缘层，设置于第一金属层表面，第二绝缘层部分区域设置第二凹槽，第二凹槽暴露出第一金属层；焊接凸起，设置于第二凹槽内，焊接凸起通过第一金属层与焊盘电性连接。本发明于第一金属层上表面设置第二绝缘层，在能够保护第一金属层、防止金属迁移的情况下，减小封装结构的应力，提高封装产品的信耐性，同时提高封装结构的散热能力。CN116031217ACN116031217A权利要求书1/2页1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片具有设置有焊盘的下表面和与所述下表面相背的上表面，所述芯片上表面相对所述焊盘位置处设置第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述焊盘上表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述芯片上表面侧和所述第一凹槽的侧表面；第一金属层，所述第一金属层设置于所述第一绝缘层表面，并延伸覆盖至所述焊盘上表面；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第一金属层表面，所述第二绝缘层部分区域设置第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一金属层；焊接凸起，所述焊接凸起设置于所述第二凹槽内，所述焊接凸起通过所述第一金属层与所述焊盘电性连接。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层材料为Al和/或Cu。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第一金属层之间部分区域处还设置缓冲层，所述缓冲层设置于所述第二凹槽正下方。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述缓冲层截面面积大于所述第二凹槽的截面面积。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊接凸起和所述第一金属层之间还设置第二金属层，所述第二金属层为Ni、Au、Pd中的一种材料或几种材料的合金，所述第二金属层厚度为1～2μm。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层材料为SiO2和/或Si3N4。7.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供芯片，所述芯片具有设置有焊盘的下表面和与所述下表面相背的上表面，于所述芯片上表面相对所述焊盘位置处形成第一凹槽，使得所述第一凹槽暴露出所述焊盘上表面；于所述芯片上表面侧和所述第一凹槽的侧表面形成第一绝缘层；于所述第一绝缘层表面形成第一金属层，并将所述第一金属层延伸至所述焊盘上表面；于所述第一金属层表面形成第二绝缘层；于所述第二绝缘层部分区域处形成第二凹槽，并使得所述第二凹槽暴露出所述第一金属层；于所述第二凹槽内制作焊接凸起，使得所述焊接凸起通过所述第一金属层与所述焊盘电性连接。8.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一金属层之前还包括步骤：于所述第一绝缘层上表面部分区域处形成一缓冲层，使得所述缓冲层与所述第二凹槽对应设置，所述缓冲层截面面积大于所述第二凹槽的截面面积。9.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属层材料为Al和/或Cu。2CN116031217A权利要求书2/2页10.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在制作所述焊接凸起之前还包括步骤：于所述第二凹槽底面形成第二金属层，所述第二金属层的形成厚度为1～2μm，所述第二金属层为Ni、Au、Pd中的一种材料或几种材料的合金。3CN116031217A说明书1/6页芯片封装结构及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。背景技术[0002]现代社会发展迅速，在传感器领域对分辨率的要求越来越高，摩尔定律数据屡次被刷新。堆栈式CIS(CMOS