一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115579599A(43)申请公布日2023.01.06(21)申请号202211308914.5(22)申请日2022.10.25(71)申请人广东国华新材料科技股份有限公司地址526020广东省肇庆市风华路18号风华电子工业园4号楼4-5层(72)发明人马才兵孙廷伟刘潮锋龙志勇(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师刘乐(51)Int.Cl.H01P1/20(2006.01)H01P11/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。与现有技术相比，本发明提供的陶瓷滤波器谐振单元采用特定结构及连接关系，具有体积小、Q值高的特点，并且二次谐波推远，大于2倍主频以上，最远达到3倍主频以外，具有极大的市场竞争力。CN115579599ACN115579599A权利要求书1/1页1.一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。2.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述A陶瓷体的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。3.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述B陶瓷体的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。4.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述第一导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；所述第二导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；所述第三导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述第二导体层的直径大于盲孔的直径。6.一种陶瓷滤波器谐振单元的制备方法，包括以下步骤：a)将A陶瓷体的材料干压成型后进行第一次烧结，得到A陶瓷体；b)将B陶瓷体的材料流延成生带后依次经叠层、等静压成型和第二次烧结，得到B陶瓷体；c)在B陶瓷体顶面丝印第二导体层后与A陶瓷体进行组装，依次经等静压复合和高温固化，形成整体结构，最后在上述整体结构表面镀第一导体层和第三导体层，得到陶瓷滤波器谐振单元。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述干压成型的压力为60MPa～70MPa；所述第一次烧结的温度为1300℃～1600℃，时间为3h～5h。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述生带的厚度为150μm～250μm；所述等静压成型的压力为55MPa～65MPa，时间为10min～15min；所述第二次烧结的温度为1300℃～1600℃，时间为3h～5h。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述第二导体层的厚度为6μm～50μm。10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述等静压复合的压力为40MPa～50MPa；所述高温固化的温度为600℃～700℃，时间为30min～120min。2CN115579599A说明书1/6页一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及滤波器技术领域，更具体地说，是涉及一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法。背景技术[0002]随着5G通讯技术的发展，陶瓷介质滤波器有望成为主流技术，具有广阔的市场前景。[0003]陶瓷谐振器因为其体积小同时还能保证高Q值，能极大降低滤波器的尺寸和重量。但是，目前陶瓷滤波器上采用的传统陶瓷同轴谐振单元Q值低，且二次谐波随着陶瓷的介电常数增大越来越靠近主模，目前市场上用的介电常数20.6左右的微波介质陶瓷的在2.6G和3.5G的二次模通常在1.5倍主频附近，必须通过额外的低通滤波器来抑制，进一步降低了滤波器的Q值。因此在保证高Q值、小体积的前提下，同时能推远二次谐波显得极具意义。发明内容[0004]有鉴于此，本发明的目的在于为介质波导滤波器提供一种全新的陶瓷谐振器，其体积很小、Q值比传统陶瓷滤波器谐振单元高40％以上，且二次谐波推远，大于2倍主频以上，最远达到3倍主频以外；同时，本发明还提供了一种陶瓷滤波器谐振单元的制备方法，该制备方法工艺简单、设备要求低，成本低廉