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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103503080103503080A(43)申请公布日2014.01.08(21)申请号201280009271.2代理人朱黎明(22)申请日2012.03.05(51)Int.Cl.H01B1/22(2006.01)(30)优先权数据61/448,7772011.03.03USH01L31/0224(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2013.08.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0277792012.03.05(87)PCT国际申请的公布数据WO2012/119157EN2012.09.07(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人K·W·杭G·劳迪辛奥A·G·普林斯R·S·沃特(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100权利要求书1页权利要求书1页说明书8页说明书8页(54)发明名称用于形成钝化发射极的银背面电极和背面接触硅太阳能电池的方法(57)摘要本发明涉及用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法,包括以下步骤:(1)提供在其正面上具有n型发射极的p型硅片,所述n型发射极在其上具有ARC层和在其背面上的穿孔的介电钝化层,所述介电钝化层具有在穿孔的位置处的局部BSF触点,(2)施加并干燥银浆以在所述硅片的背面上形成连接局部BSF触点的银背面电极图案,以及(3)焙烧所述干燥的银浆,从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度,其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有差的烧透能力,并且包含粒状银和有机载体。CN103503080ACN10358ACN103503080A权利要求书1/1页1.用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法,包括以下步骤:(1)提供在其正面上具有n型发射极的p型硅片,所述n型发射极具有在其上的ARC层和在其背面上的穿孔的介电钝化层,所述介电钝化层在所述穿孔的位置处具有局部BSF触点,(2)施加并干燥银浆以在所述硅片的背面上形成连接所述局部BSF触点的银背面电极图案,以及(3)焙烧所述干燥的银浆,从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度,其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有差的烧透能力,并且包含粒状银和有机载体。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述银浆包含至少一种玻璃料,所述玻璃料选自(i)无铅玻璃料,所述无铅玻璃料具有550-611℃范围内的软化点温度,并且包含11-33重量%的SiO2、>0-7重量%的Al2O3和2-10重量%的B2O3和(ii)含铅玻璃料,所述含铅玻璃料具有571-636℃范围内的软化点温度,并且包含53-57重量%的PbO、25-29重量%的SiO2、2-6重量%的Al2O3和6-9重量%的B2O3。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述无铅玻璃料中的一种或多种包含40-73重量%的Bi2O3。4.根据权利要求2或3的所述方法,其中在所述银浆中,选自类型(i)和(ii)的玻璃料的总含量为0.25-8重量%。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中基于总银浆组合物计,所述粒状银以50-92重量%的比例存在。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中基于总银浆组合物计,所述有机载体含量为20-45重量%。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述银浆通过印刷施加。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中焙烧以共同焙烧进行,所述共同焙烧连同已被施加到所述硅片的背面铝浆和/或正面金属浆料一起以形成局部BSF触点和/或正面金属电极。9.PERC硅太阳能电池的导电银背面电极,所述导电银背面电极由前述权利要求中任一项所述的方法制成。10.PERC硅太阳能电池,包含权利要求9的导电银背面电极。2CN103503080A说明书1/8页用于形成钝化发射极的银背面电极和背面接触硅太阳能电池的方法技术领域[0001]本发明涉及分别用于形成PERC(钝化发射极和背面接触)硅太阳能电池的银背面电极的方法,并且涉及用于生产包括所述银背面电极的PERC硅太阳能电池的方法。本发明也涉及相应的PERC硅太阳能电池。背景技术[0002]通常,硅太阳能电池具有正面和背面金属喷镀两者(正面电极和背面电极)。常规的具有p型基板的硅太阳能电池结构使用负极来接触电池的正面或光照面、以及背面上的正极。众所周知,在半导体主体的p-n结上入射的适当波长的辐射充当在该主体中产生电子-空穴对的外部能量来源。在p-n结处存在电势差,这导致空穴和电子以相对的方向横跨该结移动,从而生成能够向外部电路递送电力的电流。大部分太阳能电池为已被金属化的硅片形式,即,设有导电的金属触点。[0003]当前生产的大部分太阳能电池均基于结晶硅