用于形成钝化发射极的银背面电极以及形成背面接触硅太阳能电池的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102640231A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102640231A(43)申请公布日2012.08.15(21)申请号201080052455.8代理人朱黎明(22)申请日2010.11.23(51)Int.Cl.H01B1/22(2006.01)(30)优先权数据61/264,3312009.11.25US(85)PCT申请进入国家阶段日2012.05.18(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0578342010.11.23(87)PCT申请的公布数据WO2011/066300EN2011.06.03(71)申请人E·I·内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人A·G·普林斯R·J·S·杨G·劳迪辛奥G·库尔塔特K·W·杭B·怀特勒(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100权利要求书权利要求书11页页说明书说明书77页页(54)发明名称用于形成钝化发射极的银背面电极以及形成背面接触硅太阳能电池的方法(57)摘要本发明公开了用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供硅片，所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层；(2)在硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案；以及(3)焙烧干燥的银浆，从而使晶片达到700-900℃的峰值温度，其中银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。CN102643ACN102640231A权利要求书1/1页1.用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供硅片，所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层，(2)在所述硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案，以及(3)焙烧所述干燥的银浆，从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度，其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。2.权利要求1的方法，其中所述银浆包含至少一种玻璃料，所述玻璃料选自：(i)无铅玻璃料，其具有550-611℃范围内的软化点温度，并且包含11-33重量%的SiO2、>0-7重量%的Al2O3和2-10重量%的B2O3，和(ii)含铅玻璃料，其具有571-636℃范围内的软化点温度，并且包含53-57重量%的PbO、25-29重量%的SiO2、2-6重量%的Al2O3和6-9重量%的B2O3。3.权利要求2的方法，其中所述一种或多种无铅玻璃料包含40-73重量%的Bi2O3。4.权利要求2或3的方法，其中在所述银浆中，选自类型(i)和(ii)的所述玻璃料的总含量为0.25-8重量%。5.任一项前述权利要求的方法，其中基于总银浆组合物计，所述粒状银以50-92重量%的比例存在。6.任一项前述权利要求的方法，其中基于总银浆组合物计，所述有机载体含量为20-45重量%。7.任一项前述权利要求的方法，其中基于总银浆组合物计，所述银浆包含0.05-1.5重量%的至少一种氧化锑，其中所述至少一种氧化锑(i)作为一种或多种单独的粒状组分，(ii)作为一种或多种玻璃料组分或(iii)作为一种或多种单独的粒状组分和作为一种或多种玻璃料组分存在。8.任一项前述权利要求的方法，其中所述银浆通过印刷被施加。9.任一项前述权利要求的方法，其中焙烧以共同焙烧进行，所述共同焙烧连同已被施加到所述硅片的背面铝浆和/或正面金属浆料一起以形成铝背面电极和/或正面金属电极。10.PERC硅太阳能电池的导电银背面电极，所述导电银背面电极通过任一项前述权利要求的方法制成。11.PERC硅太阳能电池，所述硅太阳能电池包含权利要求10的导电银背面电极。2CN102640231A说明书1/7页用于形成钝化发射极的银背面电极以及形成背面接触硅太阳能电池的方法发明领域[0001]本发明涉及分别用于形成PERC（钝化发射极和背面接触）硅太阳能电池的银背面电极的方法、以及用于生产包括所述银背面电极的PERC硅太阳能电池的方法。本发明也涉及相应的PERC硅太阳能电池。[0002]发明背景[0003]通常，硅太阳能电池具有正面和背面金属喷镀（正面电极和背面电极）。常规的具有p型基极的硅太阳能电池结构使用负极来接触电池的正面或光照面、以及背面上的正极。众所周知，在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在该半导体中产生电子-空穴对的外部能源。存在于p-n结处的电势差会导致空穴和电子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送功率的电流。大部分太阳能电池呈金属化的硅片形式，即，设有导电的金属触点。[0004]目前生产的大多数太阳能电池均基于结晶硅。一种流行的用于