一种LED芯片生产工艺.pdf

本发明公开了一种LED芯片生产工艺，在加工过程中烘干采用恒温烘干，温度为75℃，时间为30min，在该温度下能够快速蒸发支架上的水分，同时不对支架结构造成破坏；扩片前对芯片进行预热，预热温度为50℃，预热能够使得芯片结构软化，在扩张过程中便于改变形状；采用木质真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，相较于钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层，木质吸嘴能够防止对LED芯片表面的损伤；压焊前进行预热，温度为220℃，压焊前对焊机进行预热，使得在压焊过程中焊机能够连续保持压焊温度；成品包装采用防静电包装，由于芯片中的电路系

2023-06-26

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一种LED芯片及LED芯片的制备方法.pdf

本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于外延层的上方且完全覆盖外延层的上表面。由此，本发明能够在芯片粗化过程中对芯片的正面进行保护，同时避免在现有技术中为了保护芯片正面在芯片表面沉积氮化硅，采用化学液去除氮化硅时残留的一些化学键对芯片焊线效果产生的不良影响。

2023-11-10

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一种LED芯片及LED芯片的制造方法.pdf

本发明公开一种LED芯片及LED芯片的制造方法，该LED芯片的制造方法包括以下步骤抛光、湿洗、光刻、离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理、化学气相沉积、物理气相沉积、电镀处理、表面处理、测试封装，所述步骤十中采用铂金钛网材料进行电镀，所述步骤五中蚀刻包括干蚀刻和湿蚀刻，所述干蚀刻是将之前光刻出来一些不需要的形状，通过等离子体将其洗掉，所述湿蚀刻通过试剂进一步对硅晶圆进行清洗，所述步骤十一中对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻胶剥离后，通过对硅晶圆表面进行反复清洗，且待电镀完成后，再次对硅晶圆表面残留的杂质以及光刻

2023-11-05

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一种提升LED芯片亮度的制备方法及LED芯片.pdf

本发明提供了一种提升LED芯片亮度的制备方法及LED芯片，该制备方法包括步骤S1、在LED外延片上制作通孔结构；步骤S2、为所述通孔结构填充二氧化硅绝缘层。该LED芯片由所述制备方法制得。本发明能够有效提升LED芯片发光亮度，并且制备方法相对简单，可以实现LED芯片高效量产。

2023-06-07

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一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片.pdf

本发明涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时，在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层，晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层，胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率，从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且，晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧，因此，晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶，这就使得剥离绝缘基板时粘附在红光外延层上的粘附胶能得

2023-06-11

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