激光回流焊用的焊膏的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106181134A(43)申请公布日2016.12.07(21)申请号201610636249.0(22)申请日2016.08.05(71)申请人苏州锡友微连电子科技有限公司地址215123江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园16栋A304室(72)发明人屠富强许文斌周健王肇(74)专利代理机构常熟市常新专利商标事务所(普通合伙)32113代理人朱伟军(51)Int.Cl.B23K35/40(2006.01)B23K35/26(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称激光回流焊用的焊膏的制备方法(57)摘要一种激光回流焊用的焊膏的制备方法，属于电子封装材料制备技术领域，将质量%比为3-4%的溶剂投入到配有加热器及搅拌装置的容器中，再将质量%比为3-4.5%的成膜剂及质量%比为0.5-1.5%的活性剂投入到容器中加热搅拌，得到中间体；将质量%比为2-5%的银粉及质量%比为0.5-1%的触变剂缓慢加入到盛有中间体的分散搅拌器中分散搅拌，得到混合料；将由混合料转入配有搅拌器的搅拌釜中进行预搅拌，再将质量%比为87-90%的Sn-Bi合金焊粉加入到搅拌釜内间歇搅拌，出料，灌装，得到成品。工艺步骤简练；改善焊膏的导热率，杜绝因焊膏飞溅对电子产品的质量产生影响。CN106181134ACN106181134A权利要求书1/1页1.一种激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A）制备中间体，先将质量%比为3-4%的溶剂投入到配有加热器以及搅拌装置的容器中，再将质量%比为3-4.5%的成膜剂以及质量%比为0.5-1.5%的活性剂投入到所述容器中加热搅拌至使所述成膜剂以及活性剂充分溶解于所述的溶剂中，并且控制加热器的加热温度，得到中间体；B）制备混合料，依次将质量%比为2-5%的银粉以及质量%比为0.5-1%的触变剂缓慢加入到盛有由步骤A）得到的中间体并且置于水浴中的分散搅拌器中分散搅拌，控制分散搅拌器的分散搅拌时间、控制分散搅拌器的分散搅拌速度和控制水浴温度，冷却至室温，得到混合料；C）制备成品，先将由步骤B）得到的混合料转入配有搅拌器的搅拌釜中进行预搅拌，再将质量%比为87-90%的Sn-Bi合金焊粉加入到搅拌釜内并且在抽真空状态下进行间歇搅拌，控制间歇搅拌的工艺参数，出料，灌装，得到激光回流焊用的焊膏。2.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤A）中所述成膜剂为KE604；所述的活性剂为丁二酸、己二酸、戊二酸和环己胺氢溴酸盐中的三种或四种的混合物；所述的溶剂为三乙二醇丁醚、2-乙基-2，6-戊二醇和四氢糠醇中的两种或三种的混合物。3.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤A）中所述的控制加热器的加热温度是将加热器的加热温度控制为170-190℃。4.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤B）中所述的银粉为粒径在1-10μm的片状银粉；所述的触变剂为氢化蓖麻油和乙二撑双硬脂酸酰胺。5.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤B）中所述的控制分散搅拌器的分散搅拌时间是将分散搅拌时间控制为30-40min；所述控制分散搅拌器的分散搅拌速度是将分散搅拌速度控制为1000-1500rpm；所述的控制水浴温度是将水浴温度控制为40-50℃。6.根据权利要求1或5所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤B）中所述的分散搅拌器为恒温式磁力分散搅拌器。7.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤B）中所述的预搅拌的搅拌速度为8-12rpm，预搅拌的时间为4-6min。8.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于在步骤Ｃ）中所述的Sn-Bi合金焊粉中，所述的Sn的质量%比为58%，而所述的Bi的质量%比为42%。9.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤C）中所述的抽真空的真空度为0.1MPa。10.根据权利要求1所述的激光回流焊用的焊膏的制备方法，其特征在于步骤B）中所述的控制间歇搅拌的工艺参数如下：先在搅拌速度为8-12rpm下搅拌4-6min，停止4-6min，而后再以30-40rpm的速度搅拌8-12min，停止搅拌4-6min，最后再以20-30rpm的速度搅拌20-30min。2CN106181134A说明书1/5页激光回流焊用的焊膏的制备方法技术领域[0001]本发明属于电子封装材料制备技术领域，具体涉及一种激光回流焊用的焊膏的制备方法。背景技术[0002]在电子产品的封装领域，焊接试件体积小、结构精密，要求焊点小、焊接强度高、焊接热影响区窄，对此，