一种蓝宝石衬底片研磨后的清洗工艺.pdf
春兰****89
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一种蓝宝石衬底片研磨后的清洗工艺.pdf
本发明公开的一种蓝宝石衬底片研磨后的清洗工艺,克服了现有双面研磨后蓝宝石衬底片清洗过程中需要用到多种化学试剂对蓝宝石衬底片表面残留的碳化硼微粉进行去除,清洗废液难处理,对环境污染大的缺点,使用本发明的清洗工艺,可有效减少表面碳化硼微粉残留,降低高温退火后蓝宝石衬底片表面的油亮斑比例,减少蓝宝石衬底片的返工成本,杜绝蓝宝石衬底片的报废情况,从而达到提高蓝宝石衬底片质量,降低蓝宝石衬底片生产成本的目的。
一种蓝宝石衬底片切片后自动插片装置.pdf
本发明公开了一种蓝宝石衬底片切片后自动插片装置,其结构包括装置保护外壳、切割传动机箱、穿插传动机箱,装置保护外壳设有底部支撑脚、辅助步进电机、控制传动电机、电机主轴,切割传动机箱设有触发传动机构、切割控制机构、切割传送台,穿插传动机箱设有晶舟盒传送台、齿轮组控制机构、反转电路机构,本发明的有益效果是:能够通过自动启动内部传动机构控制切割和插片工作,在完成插片后通过自动启动反转电路,重新传送空的晶舟盒,工作期间不要进行人工操作,节省了人力物力,提高生产加工效率。
一种蓝宝石晶片的清洗工艺.pdf
本发明公开了一种蓝宝石晶片的清洗工艺。该方法包括:先使用物理擦片配合超声方法去掉晶片表面大多数粘附性较强的油污和脏污,再用硫酸双氧水的混合溶液彻底清洗掉表面残留脏污,然后快排冲洗槽清洗,旋干或吹干。经本发明清洗的晶片表面洁净,无损伤,且实施效率极高。本发明可用于蓝宝石晶片GaN基LED芯片的外延层生长过程、PSS图形生长及管芯的前段制作过程的清洗。
一种针对蓝宝石的固结磨料及研磨工艺.pdf
本发明公开了一种针对蓝宝石的固结磨料及研磨工艺,所述针对蓝宝石的固结磨料的配比如下:按质量份量计,W14的碳化硼粉粒55‑60份、W50的二氧化硅粉粒25‑28份、W28的镀铬氧化铝粉粒18‑20份、W28的铜粉粒5‑8份。本发明以碳化硼作为主要的研磨垫成分,避免了采用高硬度的金刚石而造成研磨损伤,同时不会降低研磨效率,且设计的较软硬度的W28的铜粉粒和W50的二氧化硅粉粒合理配合W14的碳化硼粉粒一起研磨不仅可以充当研磨,并增加固化剂的连接性,且可以在碳化硼颗粒脱落时起到清洁作用,将脱落的颗粒推送到设置
一种研磨后晶片的清洗方法.pdf
本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法,涉及半导体材料技术领域。本发明的一种研磨后晶片的清洗方法,所述清洗方法是将晶片经过金属清洗剂清洗完成后,再先后分别使用碱溶液和酸溶液各清洗一次,具体为:将研磨后的晶片表面用去离子水冲洗干净,置于金属清洗剂溶液中,不断抖动晶片,清洗完成后,取出用去离子水冲洗干净后,置于碱溶液中进行第二次清洗,清洗完成后,用去离子水进行冲洗2‑3min,置于酸溶液中进行第三次清洗,清洗完成后,用去离子水冲洗干净,即可进入下一工序。本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法,在晶片腐蚀前,能够有