一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107190317A(43)申请公布日2017.09.22(21)申请号201710580748.7(22)申请日2017.07.17(71)申请人晶科能源有限公司地址334100江西省上饶市经济开发区晶科大道1号申请人浙江晶科能源有限公司(72)发明人欧子杨汪沛渊李林东肖贵云陈伟胡颖金浩(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人罗满(51)Int.Cl.C30B29/06(2006.01)C30B33/06(2006.01)C30B11/14(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法(57)摘要本申请公开了一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法，该大尺寸类单晶籽晶包括多个紧密排列的籽晶单体，所有的所述籽晶单体的预设位置以上熔接成一体式，且所述籽晶单体的预设位置以下具有拼接缝，该制作方法包括制作多个籽晶单体；将所述籽晶单体紧密排列在坩埚底部；利用半熔工艺对所述籽晶单体的表面进行微熔；当微熔至所述籽晶单体的预设位置之后，开始定向凝固，固液界面上移直至所有的籽晶单体结晶。上述大尺寸类单晶籽晶及其制作方法，能够杜绝拼接缝对铸锭的影响，有效的阻止多晶硅在类单晶铸锭过程中形核。CN107190317ACN107190317A权利要求书1/1页1.一种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于，包括多个紧密排列的籽晶单体，所有的所述籽晶单体的预设位置以上熔接成一体式，且所述籽晶单体的预设位置以下具有拼接缝。2.根据权利要求1所述的大尺寸类单晶籽晶，其特征在于，所述预设位置的范围为从所述籽晶单体的顶部以下5mm至10mm。3.根据权利要求1所述的大尺寸类单晶籽晶，其特征在于，所有的所述籽晶单体排列成的整体与坩埚的形状相匹配。4.根据权利要求1所述的大尺寸类单晶籽晶，其特征在于，所述籽晶单体的数量为25块或36块。5.根据权利要求1所述的大尺寸类单晶籽晶，其特征在于，所述籽晶单体的直径范围为：156.5-156.8mm。6.根据权利要求1-5任一项所述的大尺寸类单晶籽晶，其特征在于，所述籽晶单体的偏转角度的范围为：0°至90°。7.一种大尺寸类单晶籽晶的制作方法，其特征在于，包括：制作多个籽晶单体；将所述籽晶单体紧密排列在坩埚底部；利用半熔工艺对所述籽晶单体的表面进行微熔；当微熔至所述籽晶单体的预设位置之后，开始定向凝固，固液界面上移直至所有的籽晶单体结晶。8.根据权利要求7所述的大尺寸类单晶籽晶的制作方法，其特征在于，所述预设位置的范围为从所述籽晶单体的顶部以下5mm至10mm。2CN107190317A说明书1/4页一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法技术领域[0001]本发明属于铸锭技术领域，特别是涉及一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法。背景技术[0002]在太阳能光伏行业，目前主要使用的是提拉法单晶硅和铸造多晶硅制作的电池片。与提拉单晶相比，多晶硅铸锭拥有产量大和成本低的优势，但是多晶硅片的转换效率要低于单晶，于是一种介于两者之间的类单晶应运而生。这种采用铸锭方式制作的类单晶产品，使用的是无位错单晶作为籽晶铺设在坩埚底部用于形核，而在籽晶铺设过程中要保证拼接缝没有落硅，也就是尽可能的减少拼接缝的数量。[0003]目前所使用最广泛的方法如下：将提拉单晶整棒切成方块状，然后用36块(根据炉台大小而变化数量)铺设在坩埚底部用做籽晶，这种铺设方法会带来大量的拼接缝，对方块籽晶无损伤的制作要求高，对员工的摆放手法要求高。一旦产生拼接缝，非单晶的形核点就会极大的影响到类单晶整锭的质量。目前最接近的方案是：使用竖直切割的方式制作长条状的籽晶而不制作方块状的籽晶，但是这种制作方法只能做略大的籽晶，减少拼接缝的数量而不能彻底消除拼接缝。发明内容[0004]为解决上述问题，本发明提供了一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法，能够杜绝拼接缝对铸锭的影响，有效的阻止多晶硅在类单晶铸锭过程中形核。[0005]本发明提供的一种大尺寸类单晶籽晶，包括多个紧密排列的籽晶单体，所有的所述籽晶单体的预设位置以上熔接成一体式，且所述籽晶单体的预设位置以下具有拼接缝。[0006]优选的，在上述大尺寸类单晶籽晶中，所述预设位置的范围为从所述籽晶单体的顶部以下5mm至10mm。[0007]优选的，在上述大尺寸类单晶籽晶中，所有的所述籽晶单体排列成的整体与坩埚的形状相匹配。[0008]优选的，在上述大尺寸类单晶籽晶中，所述籽晶单体的数量为25块或36块。[0009]优选的，在上述大尺寸类单晶籽晶中，所述籽晶单体的直径范围为：156.5-156.8mm。[0010]优选的，在上述大尺寸类单晶籽晶中，所述籽晶单体的偏转角度的范围为：0°至90°。[0011]本发