大尺寸单晶石墨烯籽晶诱导法生长及表征.docx
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大尺寸单晶石墨烯籽晶诱导法生长及表征.docx
大尺寸单晶石墨烯籽晶诱导法生长及表征大尺寸单晶石墨烯是一种具有重要应用潜力的二维材料。它具有优异的电学、光学和力学性能,并在多个领域中展示出潜在的应用前景。然而,目前获得大尺寸单晶石墨烯的方法还面临一些挑战。本文将介绍一种用于大尺寸单晶石墨烯的籽晶诱导生长方法,并对其进行表征。首先,我们需要制备具有高质量和大尺寸的石墨烯籽晶。传统的方法是通过机械剥离、化学气相沉积或溶液法制备石墨烯。然而,这些方法通常获得的石墨烯晶体质量较低,且尺寸较小。为了克服这些限制,我们使用了一种新颖的方法,即化学气相沉积诱导籽晶生
大尺寸石墨烯单晶的生长、转移与氮掺杂特性研究.docx
大尺寸石墨烯单晶的生长、转移与氮掺杂特性研究大尺寸石墨烯单晶的生长、转移与氮掺杂特性研究摘要:石墨烯作为一种二维材料,具有出色的电学、光学和力学性能,因而引起了广泛的研究兴趣。然而,常规的石墨烯制备方法通常限制了其尺寸和质量的控制。本研究采用化学气相沉积法生长大尺寸石墨烯单晶,并通过机械转移技术将其转移到目标基底上。随后,采用氮掺杂方法改变了石墨烯的电学性能。通过光电化学测试和电子显微镜观察等手段,研究了大尺寸石墨烯单晶的生长机制、转移过程和氮掺杂对其电学特性的影响。关键词:石墨烯,化学气相沉积,机械转移
一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法.pdf
本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法,包括步骤如下:(1)将SiC进行抛光、清洗后,置于生长炉中,抽真空,升温至1200~1300℃;通入氩气和氢气,升温至1500℃~1600℃,进行氢刻蚀;刻蚀后,关闭氢气,降温至1400~1500℃,保温;氩气氛围降温至800℃~1100℃,将微细导热探针放在SiC衬底上,形成局部过冷点;通入碳源气体和氢气,碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶;(2)在800℃~1100℃,800~900mbar;碳源气体的供应下,石
石墨烯薄膜的生长及结构表征研究.docx
石墨烯薄膜的生长及结构表征研究石墨烯作为一种全新的二维材料,具有很高的导电性、热导率和机械强度等特性,而且它的表面积大、柔性强、重量轻等特征,使得它在许多领域都能得到应用。石墨烯的制备方法很多,其中化学气相沉积法是一种被广泛认可的生长方法,接下来,我们将介绍生长石墨烯薄膜的过程和对其进行表征的方法。一、石墨烯薄膜的生长过程第一步是选择一种较为适宜的衬底材料,如金属铜(Cu)、铂(Pt)、钯(Pd)等,然后将其表面通过拉伸的方式进行去氧化处理,将其表面的氧化物清除,以确保在生长石墨烯过程中不会发生氧化反应。
多晶铜CVD方法生长石墨烯的表征.docx
多晶铜CVD方法生长石墨烯的表征摘要:石墨烯是一种二维的碳材料,具有众多优异的性质而备受关注。多晶铜CVD生长石墨烯是一种有效的制备方法,本文将介绍该方法的原理、步骤和表征结果,揭示多晶铜CVD法生长石墨烯的优缺点,以及目前的研究热点和趋势。关键词:石墨烯;多晶铜;CVD;表征1.介绍石墨烯是一种单层碳原子构成的二维材料,因其特殊的物理、化学性质备受关注。特别是其高导电性、高导热性、高稳定性和机械强度等性能,给材料科学、电子学、光学等领域带来了新的可能性。然而,石墨烯的制备工艺并不简单。从单层石墨烯的发现