红外焦平面探测器像元失效检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109084903A(43)申请公布日2018.12.25(21)申请号201810620059.9(22)申请日2018.06.15(71)申请人中国电子科技集团公司第十一研究所地址100015北京市朝阳区酒仙桥路4号(72)发明人肖钰范博文(74)专利代理机构工业和信息化部电子专利中心11010代理人于金平(51)Int.Cl.G01J5/10(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称红外焦平面探测器像元失效检测方法(57)摘要本发明公开了一种红外焦平面探测器像元失效检测方法，所述检测方法包括：将待测红外焦平面探测器倒置在测试杜瓦中，使所述待测红外焦平面探测器的芯片与测试杜瓦的冷头相对。根据本发明提出的检测方法，能够在红外焦平面探测器各个工艺步骤对红外焦平面探测器进行像元失效分析。CN109084903ACN109084903A权利要求书1/1页1.一种红外焦平面探测器像元失效检测方法，其特征在于，将待测红外焦平面探测器倒置在测试杜瓦中，使所述待测红外焦平面探测器的芯片与测试杜瓦的冷头相对。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测红外焦平面探测器为：经芯片与读出电路互连后的待测红外焦平面探测器；或者经芯片与读出电路灌胶后的待测红外焦平面探测器；或者经芯片与读出电路背面减薄后的待测红外焦平面探测器。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将待测红外焦平面探测器倒置在测试杜瓦中之前，还包括：在待测红外焦平面探测器的焊盘上设有可拆卸的用于与测试杜瓦的接线柱电连接的引线。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用胶水将所述引线粘接固定在焊盘上。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述将待测红外焦平面探测器倒置在测试杜瓦中之后，还包括：将所述红外焦平面探测器固定在测试杜瓦的冷头上，进行电连接、光阑、窗口装配，抽真空。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将红外焦平面探测器固定在测试杜瓦的冷头上，包括：所述待测红外焦平面探测器采用粘接固定在测试杜瓦的冷头上。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试杜瓦的冷头采用绝缘导热材质制成。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试杜瓦的冷头上设有绝缘导热的保护垫。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保护垫采用硅垫片。10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述保护垫粘接固定在所述冷头上。2CN109084903A说明书1/4页红外焦平面探测器像元失效检测方法技术领域[0001]本发明涉及焦平面探测器检测领域，尤其涉及一种红外焦平面探测器像元失效检测方法。背景技术[0002]红外焦平面探测器又称红外焦平面器件，该红外焦平面探测器促进了红外技术应用的发展，使红外武器装备的性能大幅提高，已经应用于侦察、监视、精确制导、搜索跟踪和光电对抗等军事系统，成为先进光电武器系统的重要组成部分，同时在驾驶辅助、消防、安保、安全生产等民用领域也有广泛应用。[0003]随着应用要求的逐步提高以及红外焦平面器件的焦平面阵列规模的扩大，像元失效已成为影响红外焦平面器件合格率的关键因素之一。采用红外焦平面测试系统对红外焦平面器件进行测试，并研究红外焦平面器件像元失效的原因，有利于采取针对性的措施减少像元失效，提高红外焦平面器件的性能和成品率。[0004]由于红外焦平面器件采用背光照的方式收集光能量，只有把红外焦平面器件的芯片从背面减薄，使其在表面附近吸收光子，产生的光生载流子才能扩散到PN结区，产生光电流。[0005]目前分析红外焦平面器件失效像元的方法是：将红外焦平面器件的芯片和读出电路互连后，然后经过灌胶、背面减薄(研磨、抛光、机械化学抛)后，再装配到测试杜瓦中，最后采用红外焦平面测试系统对焦平面器件进行测试、分析。[0006]由于红外焦平面的芯片与读出电路在进行灌胶、背面减薄处理时，每一个步骤都有可能使得红外焦平面器件在制造过程中受到的应力超过产生位错的临界剪切应力，在红外焦平面器件中产生芯片与读出电路位错，从而引起像元失效。因此目前的红外焦平面器件失效像元分析方法，只能对经过红外焦平面器件的背面减薄后进行测试、分析，不能确定哪个工艺步骤(灌胶、研磨、抛光或机械化学抛)产生了新的位错，从而不能对像元失效问题进行准确定位和分析。发明内容[0007]本发明实施例提供一种红外焦平面探测器像元失效检测方法，能够在红外焦平面探测器各个工艺步骤进行像元失效分析。[0008]第一方面，本发明实施例提供一种红外焦平面探测器像元失效检测方法，[0009]将待测红外焦平面探测器倒置在测试杜瓦中，使所述待测红外焦平面探测器的芯片与测试杜瓦的冷头相对。[0010]可