参考像元结构及其制备方法、非制冷红外焦平面探测器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115872348A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211668319.2(22)申请日2022.12.23(71)申请人杭州海康微影传感科技有限公司地址311501浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区求是路299号A1号楼(72)发明人李哲丁金玲刘建华(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415专利代理师王剑(51)Int.Cl.B81B3/00(2006.01)B81B7/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)B81C1/00(2006.01)G01J5/20(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图12页(54)发明名称参考像元结构及其制备方法、非制冷红外焦平面探测器(57)摘要本发明提供一种参考像元结构及其制备方法、非制冷红外焦平面探测器。参考像元结构包括基底、像元主体及遮挡结构层。像元主体具有转化元件层，所述转化元件层设置在所述基底上，并用于将光信号转化为电信号。遮挡结构层至少部分位于所述像元主体背离所述基底的一侧，所述遮挡结构层包括支撑桥墩及遮挡层，所述支撑桥墩连接于所述像元主体的外边缘或位于所述像元主体的外围，且所述遮挡层与所述像元主体间隔设置。上述参考像元结构，通过将支撑桥墩连接于增强元件层的外边缘或位于像元主体的外围，能够减小或避免遮挡结构层与像元主体之间的接触，从而减小遮挡结构层对像元主体的热容、热导、热绝缘性等的影响，提高像元主体获取数据的准确性。CN115872348ACN115872348A权利要求书1/3页1.一种参考像元结构，其特征在于，包括：基底；像元主体，具有转化元件层，所述转化元件层设置在所述基底上，并用于将光信号转化为电信号；遮挡结构层，至少部分位于所述像元主体背离所述基底的一侧，所述遮挡结构层包括支撑桥墩及遮挡层，所述支撑桥墩连接于所述像元主体的外边缘或位于所述像元主体的外围，且所述遮挡层与所述像元主体间隔设置。2.如权利要求1所述的参考像元结构，其特征在于，所述遮挡结构层包括高反射层及位于所述高反射层的至少一表面的支撑结构层。3.如权利要求1所述的参考像元结构，其特征在于，所述转化元件层具有转化主体及位于所述转化主体外边缘的转化支撑部，所述支撑桥墩位于所述转化支撑部之上。4.如权利要求3所述的参考像元结构，其特征在于，所述像元主体包括位于所述转化元件层远离所述基底一侧的增强元件层，所述增强元件层具有增强主体及位于所述增强主体外边缘的增强支撑部，所述增强主体位于所述转化主体和所述遮挡层之间，并且所述增强主体与所述转化元件层间隔设置，所述增强支撑部位于所述转化支撑部和所述支撑桥墩之间。5.如权利要求1所述的参考像元结构，其特征在于，所述支撑桥墩的内侧具有一个或多个像元主体。6.一种非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述非制冷红外焦平面探测器包括如权利要求1至5中任一项所述的参考像元结构。7.一种参考像元结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；形成像元主体，所述像元主体具有转化元件层，所述转化元件层位于所述基底上，并用于将光信号转化为电信号；形成遮挡结构层，至少部分位于所述像元主体背离所述基底的一侧，所述遮挡结构层包括支撑桥墩及遮挡层，所述支撑桥墩连接于所述像元主体的外边缘或位于所述像元主体的外围，且所述遮挡层与所述像元主体间隔设置。8.如权利要求7所述的参考像元结构的制备方法，其特征在于，所述遮挡结构层包括高反射层及位于所述高反射层的至少一表面的支撑结构层。9.如权利要求8所述的参考像元结构的制备方法，其特征在于，遮挡结构层包括高反射层及位于所述高反射层的相背离两表面的第一支撑结构层及第二支撑结构层，所述第一支撑结构层位于所述高反射层靠近所述基底的一侧，所述形成遮挡结构层包括：形成第一支撑结构层；在所述第一支撑结构层表面形成高反射层；在所述高反射层表面形成第二支撑结构层。10.如权利要求9所述的参考像元结构的制备方法，其特征在于，在所述提供基底之后，在所述形成像元主体之前，所述方法包括：对所述基底的上表面进行刻蚀，露出所述基底中的电路连接部。11.如权利要求10所述的参考像元结构的制备方法，其特征在于，所述形成像元主体包2CN115872348A权利要求书2/3页括：形成转化元件层。12.如权利要求11所述的参考像元结构的制备方法，其特征在于，在所述形成转化元件层之前，所述制备方法包括：在所述基底之上形成有第一牺牲层，所述第一牺牲层具有与所述电路连接部对应的第一开槽；所述转化元件层包括依序形成于所述第一牺牲层之上的第一绝缘层、第一热敏感层、第一热敏感保护层、第二绝缘层、第一导电层以及第三绝缘层；所述第一导电层与所述第一热敏感层电连接，并且所述第一导电层的部分位