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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112300752A(43)申请公布日2021.02.02(21)申请号202010677709.0(22)申请日2020.07.14(30)优先权数据2019-1397932019.07.30JP(71)申请人杜邦东丽特殊材料株式会社地址日本东京(72)发明人竹内绚哉稻垣佐和子林昭人(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人葛臻翼陈哲锋(51)Int.Cl.C09J183/07(2006.01)C09J183/04(2006.01)H01L23/29(2006.01)权利要求书1页说明书13页(54)发明名称固化性有机硅组合物、光半导体装置以及光半导体装置的制造方法(57)摘要本发明提供一种固化性有机硅组合物,其用于密封、包覆或粘接光半导体元件,能够形成实现足够低的透气性并且即使长时间暴露在高温条件下重量减少和硬度变化也较小的固化物。通过一种包含含有至少一个(Ar2SiO2/2)单元的树脂状有机聚硅氧烷的固化性有机硅组合物来解决上述问题,其中,Ar表示芳基。CN112300752ACN112300752A权利要求书1/1页1.一种固化性有机硅组合物,其用于密封、包覆或粘接光半导体元件,包含含有至少一个(Ar2SiO2/2)单元的树脂状有机聚硅氧烷,其中,Ar表示芳基。2.根据权利要求1所述的固化性有机硅组合物,其中,其为氢化硅烷化反应固化型。3.根据权利要求1或2所述的固化性有机硅组合物,其中,所述树脂状有机聚硅氧烷为一分子中具有至少两个硅原子键合烯基的树脂状含烯基有机聚硅氧烷。4.根据权利要求1~3中任一项所述的固化性有机硅组合物,其中,所述树脂状有机聚硅氧烷由平均单元式(A-3)表示:111(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(Ar2SiO2/2)b‘(RSiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e式中,R1是相同或不同的卤素取代或未取代的一价烃基,Ar是芳基,其中,R1总量的0.011~50摩尔%是烯基,X是氢原子或烷基,R2SiO2/2单元表示Ar2SiO2/2以外的单元,a、b、b’、c、d和e为满足以下条件的数:0≤a≤1.0,0≤b≤1.0,0<b’≤1.0,0≤c<0.9,0≤d<0.5,0≤e<0.4,a+b+b’+c+d=1.0.且c+d>0。5.根据权利要求3或4所述的固化性有机硅组合物,其中,进一步包含一分子中具有至少两个硅原子键合烯基的直链状含烯基有机聚硅氧烷。6.根据权利要求5所述的固化性有机硅组合物,其中,以直链状含烯基有机聚硅氧烷/树脂状含烯基有机聚硅氧烷的含量的比率大于0.2的量包含直链状含烯基有机聚硅氧烷和树脂状含烯基有机聚硅氧烷。7.根据权利要求1~6中的任一项所述的固化性有机硅组合物,其中,基于组合物的总质量,以10质量%以上90质量%以下的量包含所述树脂状有机聚硅氧烷。8.根据权利要求2~7中任一项所述的固化性有机硅组合物,其中,进一步包含(B)一分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的有机氢聚硅氧烷以及(C)氢化硅烷化反应用催化剂。9.一种光半导体装置,其具备权利要求1~8中任一项所述的固化性有机硅组合物。10.一种光半导体装置的制造方法,其包括使用权利要求1~8中任意一项所述的固化性有机硅组合物来密封、包覆或粘接光半导体元件的步骤。2CN112300752A说明书1/13页固化性有机硅组合物、光半导体装置以及光半导体装置的制造方法【技术领域】[0001]本发明涉及一种固化性有机硅组合物,更具体地,涉及一种用于密封、包覆或粘接光半导体元件的固化性有机硅组合物。此外,本发明还涉及一种具备这样的固化性有机硅组合物的固化物的光半导体装置及其制造方法。【背景技术】[0002]固化性有机硅组合物会固化而形成具有优异的耐热性、耐寒性、电绝缘性、耐候性、防水性、透明性的固化物,因此被利用在广泛的产业领域中。特别是,该固化物与其他有机材料相比不易变色,且其物理物性的降低较小,因此适合用于光学材料。[0003]例如,在专利文献1~3中记载了一种使用固化性有机硅树脂组合物的用于光半导体元件密封或光学透镜的树脂组合物,该固化型有机硅树脂组合物包含一分子中具有两个以上非共价键合双键基团的有机聚硅氧烷、一分子中具有两个以上与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷、以及催化量的铂类催化剂。此外,在专利文献4和5中,记载了一种热熔性有机硅树脂组合物,其在25℃下为非流动性、表面粘着性低、并且加热易熔融。[0004]【现有技术文献】[0005]【专利文献】[0006][专利文献1]:日本特开2006-299099号公报[0007][专利文献2]:日本特开2007-246894号公报[0008][专利文献3]:日