一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113234402A(43)申请公布日2021.08.10(21)申请号202110494823.4C09J7/30(2018.01)(22)申请日2021.05.07(71)申请人浙江祥邦科技股份有限公司地址311254浙江省杭州市萧山区所前镇新光路28号(72)发明人苏丹黄元旦邵佳俊魏晓勇周志英(74)专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙)33266代理人沈相权(51)Int.Cl.C09J123/08(2006.01)C09J11/06(2006.01)C09J11/04(2006.01)C09J11/08(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种复合封装胶膜，尤其涉及一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法。按以下百分比进行配比：EVA树脂40～50％；POE树脂45～60％；相容剂0.01～0.1％；偶联剂0.04～1.5％；紫外吸收剂0.1～1％；交联剂0.1～2％；抗PID助剂0.01～0.1％。用EVA/POE树脂复配作为封装胶膜的原料，有效降低树脂中酯基含量，减少组件PID功率衰减；导入相容剂，使得不同极性的EVA/POE树脂能很好地融合，杜绝共挤膜中的脱层等问题；添加抗PID助剂，优选出最佳比例为0.05％，解决组件PID功率衰减问题。CN113234402ACN113234402A权利要求书1/1页1.一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于按以下百分比进行配比：EVA树脂40～50％；POE树脂45～60％；相容剂0.01～0.1％；偶联剂0.04～1.5％；紫外吸收剂0.1～1％；交联剂0.1～2％；抗PID助剂0.01～0.1％。2.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：EVA树脂为乙烯‑醋酸乙烯共聚物，VA含量18～26％，熔融指数为2～40g/10min。3.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：所述的POE树脂为乙烯‑α烯烃共聚物，为乙烯‑丁烯、乙烯‑己烯、乙烯‑辛烯中的一种或几种；熔融指数为2～50g/10min。4.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：所述的相容剂为丙烯酸、丙烯酰胺、甲基丙烯酸甲酯、乙烯‑丙烯酸(2‑乙基己酯)共聚物、甲基丙烯酸缩水甘油酯中的一种或几种。5.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：所述偶联剂为甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3‑甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷中的一种或几种。6.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：所述紫外吸收剂为2，4‑二羟基二苯甲酮、2‑羟基‑4‑正辛氧基二苯甲酮、2‑羟基‑4‑甲氧基二苯甲酮、2‑(4，6‑双(2，4‑二甲基苯基)‑1，3，5‑三嗪‑2‑基)‑5‑辛氧基酚、2‑(4，6‑二苯基‑1，3，5‑三嗪‑2‑基)‑5‑己基氧基‑苯酚中的一种或几种。7.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：所述交联剂为二(4‑甲基苯甲酰)过氧化物、1，1’‑二(叔丁基过氧)环己烷、丁基‑4，4’‑二(叔丁基过氧化)戊酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或几种。8.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜，其特征在于：所述抗PID助剂为磷酸锆、二硫化二异丙基黄原酸酯、纤维素黄原酸酯、单碳化二亚胺、聚碳化二亚胺中的一种或几种。9.权利要求1所述的一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法，其特征在于按以下步骤进行：(1)将EVA、POE树脂按照比例在混料机里混合30min至均匀；(2)将相容剂、偶联剂、紫外吸收剂、交联剂、抗PID助剂用高速分散机剪切30min，使混合助剂粘度降低至1～300mPa·s；(3)将混匀的助剂(2)加入(1)中，高速混合6～12h直至助剂完全吸收。将混匀的配料(3)通过供料系统添加进螺杆挤出机，在80～120℃流涎挤出，胶膜牵引进入压花辊压合形成花纹，经冷却定型后分切、收卷，按要求包装成成品。胶膜厚度为0.1～1mm。10.权利要求9所述的一种高抗PID复合封装胶膜的用途，其特征在于：用于光伏双玻组件。2CN113234402A说明书1/3页一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种复合封装胶膜，尤其涉及一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法。背景技术[0002]用纯POE胶膜封装双面PREC组件，成本较高。受限于EVA的材料结构，老化后易发生降解和组件功率衰减，导致用其封装双面PRE