一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114213013A(43)申请公布日2022.03.22(21)申请号202111481073.3C03C8/00(2006.01)(22)申请日2021.12.06C04B41/89(2006.01)(71)申请人蒙娜丽莎集团股份有限公司地址528211广东省佛山市南海区西樵轻纺城工业园(72)发明人谢志军李春光何宇奇李国平吴亚超(74)专利代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261代理人曹芳玲牛彦存(51)Int.Cl.C03C8/02(2006.01)C03C8/04(2006.01)C03C8/20(2006.01)C03C10/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法(57)摘要本发明公开一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法。所述闪光干粒釉包括：以质量百分比计，高钙干粒16～35%和低温透明干粒65～84%；所述高钙干粒和低温透明干粒的始融温度差值为40～60℃。相比于其它闪光釉产品，该闪光干粒抛陶瓷板的釉层闪光物相无色、透明，在赋予釉面闪光装饰的同时不会影响釉层自身通彻、透明的特点，还能够消除釉面的杂质感和突兀感。此外，闪光物相和釉层玻璃相有良好的浸润、包裹以及化学键结合，可以减少甚至杜绝气泡、空洞、釉层致密性降低等釉层缺陷。CN114213013ACN114213013A权利要求书1/1页1.一种闪光干粒釉，其特征在于，所述闪光干粒釉包括：以质量百分比计，高钙干粒16～35%和低温透明干粒65～84%；所述高钙干粒和低温透明干粒的始融温度差值为40～60℃。2.根据权利要求1所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述高钙干粒的始融温度为1060～1080℃；高钙干粒中CaO的质量百分含量为20～25%。3.根据权利要求2所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述高钙干粒的化学组成包括：以质量百分比计，SiO240～48%，Al2O325～32%，CaO20～25%，MgO0.08～1.2%，K2O0.3～0.4%，Na2O1.5～2.2%，TiO20.02～0.1%。4.根据权利要求1至3中任一项所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述低温透明干粒的始融温度为1000～1020℃；所述低温透明干粒的化学组成包括：以质量百分比计，SiO259～61%，Al2O311～16%，CaO10～11%，MgO1～1.5%，K2O5～6.5%，Na2O1.5～1.7%，ZnO5～5.5%。5.根据权利要求1至4中任一项所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述高钙干粒的粒径为20～60目；所述低温透明干粒的粒径为40～60目。6.根据权利要求1至5中任一项所述的闪光干粒釉，其特征在于，在高温烧成环境下闪光干粒釉的熔体中具有均匀分散的颗粒状局部高钙液相。7.一种闪光干粒抛陶瓷板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在干燥后的陶瓷坯体表面施面釉；在施面釉后的陶瓷坯体表面喷墨打印设计装饰图案；在喷墨打印设计装饰图案后的陶瓷坯体表面施权利要求1至6中任一项所述的闪光干粒釉；将施闪光干粒釉后的坯体烧成并抛光，得到所述闪光干粒抛陶瓷板。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述闪光干粒釉的施加方式为淋釉；所述闪光干粒釉的比重为1.5～1.6，施釉量为1200～1500g/m2。9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述面釉的施加方式为喷釉；所述面釉的比重为1.4～1.6，施釉量为625～700g/m2；优选地，所述面釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO244～48%，Al2O323～26%，CaO5～8%，MgO2.5～3.3%，K2O3.5～4.2%，Na2O0.2～0.6%，ZrO27～8%。10.根据权利要求7至9任一项所述的制备方法，其特征在于，最高烧成温度为1110～1121℃，烧成周期为60～80min。2CN114213013A说明书1/6页一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法技术领域[0001]本发明属于陶瓷建材领域，具体涉及一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法。背景技术[0002]干粒抛又称为镜面抛光。运用干粒抛工艺的陶瓷板釉面平整度高，具有很强的镜面效果及良好通透感，是当前建筑陶瓷市场炙手可热的产品类型。经过多年的研究开发，干粒抛陶瓷板的花色和质感已经十分丰富。但是，如何形成特殊光学效果的釉层，提高产品视觉冲击力，改进产品差异化和市场竞争力，是当前亟待解决的技术问题。现有技术形成高温(≥1180℃)瓷质砖闪光釉面的工艺包括：在砖面施加糖果釉并依赖釉面凹凸质感产生闪光效果，但这种方式不能用于抛光类瓷砖；在釉料中加入闪光云母片，可