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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111480068A(43)申请公布日2020.07.31(21)申请号201880078853.3(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2018.12.0411105代理人贺紫秋(30)优先权数据17306733.12017.12.08EP(51)Int.Cl.G01N27/22(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B01D67/00(2006.01)2020.06.05C23C14/22(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L21/283(2006.01)PCT/EP2018/0834702018.12.04(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/110582EN2019.06.13(71)申请人梅斯法国公司地址法国图卢兹(72)发明人E.迪鲁普特权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称用于制造湿度传感器的方法及湿度传感器(57)摘要一种制造相对湿度传感器的方法,包括以下步骤:a)提供底部基板,b)在基板上或上方提供第一和电连接器件,c)提供绝缘层,用于将第一电极与电连接器件电绝缘,d)在第一电极的区域中的绝缘层上方提供无机多孔介电层,e)通过掠入射沉积在多孔介电层上方提供与电连接器件电连接的第二电极。此外,本发明涉及通过该方法获得的相对湿度传感器。CN111480068ACN111480068A权利要求书1/1页1.一种制造相对湿度传感器的方法,包括以下步骤:a)提供底部基板(1),b)在基板(1)上或上方提供第一电极(3)和电连接器件(5),c)提供绝缘层(7)以将第一电极(3)与电连接器件电绝缘,d)在第一电极(3)的区域中的绝缘层(7)或第一电极上方提供无机多孔介电层(13),e)通过掠入射沉积在多孔介电层(13)中或上方提供第二电极(19),特别是多孔第二电极,并将第二电极电连接到电连接器件(5)。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无机多孔介电层(13)包括氧化铝。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中步骤d)包括沉积铝层(11)的步骤和通过电解生长来生长多孔氧化铝层(13)的步骤。4.根据权利要求3所述的方法,其中,在所述绝缘层(7)中提供导电漏极(35),以将铝层(11)与第一电极(3)电连接。5.根据权利要求3或4所述的方法,其中,多个相对湿度传感器形成在同一底部基板(1)上,并且其中,所述第一电极(3)被设置为使得它们彼此电连接。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,所述无机多孔介电层(13)的孔隙率在5%至99%的范围。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,提供第二电极(19)的步骤e)包括通过掠入射沉积来沉积导电层。8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述掠入射沉积是金属蒸气掠入射沉积。9.根据权利要求8所述的方法,其中,蒸发的材料流与无机多孔介电层(13)的表面的角度小于45°,特别是小于30°。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中,基板(1)是无源基板,特别是Si或蓝宝石基板,或者是专用集成电路(ASIC)型基板。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,还包括在步骤c)之前在第一电极(3)上提供导电层(7)的步骤。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其中,无机多孔介电层(13)的厚度在1μm至5μm的范围,并且至少在一个维度上,横向延伸部在10μm至800μm的范围。13.一种特别是通过根据权利要求1至12中任一项所述的方法获得的相对湿度传感器,包括:基板(1),在基板(1)上或上方的第一电极(3)和电连接器件(5),绝缘层(9),以将第一电极(3)与电连接器件(5)电绝缘,并且至少排除电连接器件(5),无机多孔介电层(13),在第一电极(3)上方和/或在绝缘层(9)上方,和第二电极(19),特别是多孔的第二电极,电连接到电连接器件(5)并设置在无机多孔介电层(13)中或上方。14.根据权利要求13所述的相对湿度传感器,其特征在于,无机多孔层(13)包括孔隙率为5%至99%且厚度为1μm至5μm的氧化铝。15.根据权利要求13或14所述的相对湿度传感器,其中,第二电极(19)是金层。2CN111480068A说明书1/5页用于制造湿度传感器的方法及湿度传感器技术领域[0001]本发明涉及用于制造湿度传感器的方法以及湿度传感器。背景技术[0002]这样的相对湿度传感器在本领域中是已知的。US4,651,121公开了一种湿度传感器,其包括基板、在基板上方的底部电极以及夹在底部电极和上部电极之间的有机湿敏膜。当水蒸气进入湿敏膜时,传感器的电容发生变化。通过检测电容的相应变化,此作用可用于确定大气中水蒸气含量的变