一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103490134103490134A(43)申请公布日2014.01.01(21)申请号201310428717.1(22)申请日2013.09.18(71)申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号(72)发明人罗永伦许亮辛振宇熊先平张运马晓磊陈龙吴普超(74)专利代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227代理人周永宏(51)Int.Cl.H01P5/20(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器(57)摘要本发明公开了一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，包括输入波导和与输入波导连接的第一输出波导、第二输出波导及第三输出波导，第一输出波导、第二输出波导与输入波导的连接处分别设有形状、大小均相同的匹配结构，第三输出波导的端口处设有吸波材料。本发明所述紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器通过匹配结构的设置改善了输出波导与输入波导的匹配性、降低了功率分配器的插损、提高了功率分配器的相位平衡度，同时，所述紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器具有幅度平衡度好、结构简单，加工容易且安装方便等优点，便于在业内推广应用。CN103490134ACN10349ACN103490134A权利要求书1/1页1.一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，其特征在于：包括输入波导和与输入波导连接的第一输出波导、第二输出波导及第三输出波导，第一输出波导、第二输出波导与输入波导的连接处分别设有形状、大小均相同的匹配结构，第三输出波导的端口处设有吸波材料。2.根据权利要求1所述的紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，其特征在于：所述匹配结构为斜面结构，所述斜面结构是通过在第一输出波导与输入波导的连接处削去一个高度小于第一输出波导的劈尖、在第二输出波导与输入波导的连接处削去一个高度小于第二输出波导的尖劈而得。3.根据权利要求2所述的紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，其特征在于：所述匹配结构采用一次性铣切加工工艺制备而成。4.根据权利要求1至3任一项权利要求所述的紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，其特征在于：所述第一输出波导、第二输出波导的轴线位于同一直线上，第三输出波导的轴线与第一输出波导、第二输出波导的轴线所在的直线垂直，所述输入波导的轴线与三个输出波导轴线所在的直线均垂直。5.根据权利要求4所述的紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，其特征在于：所述输入波导及三个输出波导均为矩形波导。2CN103490134A说明书1/3页一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器技术领域[0001]本发明属于功率分配器技术领域，具体涉及一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器。背景技术[0002]功率分配器是将输入功率分成相等或不相等的几路输出功率的一种多端口微波器件。微波功率分配器的性能如插损、隔离度、相位平衡度和幅度平衡度等指标将对整个系统的性能产生重要影响。目前常见的功率分配器主要采用微带线或波导分布参数功率分配器，其中腔体波导功率分配器的插损小，幅度平衡度好，但其缺点是隔离度较差，制作工艺比较复杂。发明内容[0003]本发明的目的在于克服现有技术中的上述问题，提供一种隔离度高、制作工艺简单且结构小巧的紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：[0005]一种紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器，包括输入波导和与输入波导连接的第一输出波导、第二输出波导及第三输出波导，第一输出波导、第二输出波导与输入波导的连接处分别设有形状、大小均相同的匹配结构，第三输出波导的端口处设有吸波材料。[0006]进一步地，所述匹配结构为斜面结构，所述斜面结构是通过在第一输出波导与输入波导的连接处削去一个高度小于第一输出波导的劈尖、在第二输出波导与输入波导的连接处削去一个高度小于第二输出波导的尖劈而得。[0007]进一步地，所述第一输出波导、第二输出波导的轴线位于同一直线上，第三输出波导的轴线与第一输出波导、第二输出波导的轴线所在的直线垂直，输入波导的轴线与三个输出波导轴线所在的直线均垂直。[0008]进一步地，所述输入波导及三个输出波导均为矩形波导。[0009]进一步地，所述紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器及其匹配结构均采用一次性铣切加工工艺制备而成。[0010]与现有技术相比，本发明的有益效果是：[0011]首先，本发明所述紧凑型高隔离度波导魔T功率分配器在第一输出波导和第二输出波导上设置与输入波导连接的匹配结构，该匹配结构的设置使信号在匹配结构处产生反射，该反射与功率分配器内部产生的不连续性反射相互抵消，改善了输出波导与输入波导