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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109088141A(43)申请公布日2018.12.25(21)申请号201810891418.4(22)申请日2018.08.07(71)申请人中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所地址214063江苏省无锡市梁溪路108号(72)发明人王朝阳徐暑晨赵蒙(74)专利代理机构北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙)11526代理人王子溟(51)Int.Cl.H01P5/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种波导魔T结构(57)摘要本发明涉及射频微波领域,特别涉及一种波导魔T结构。波导魔T结构包括:波导腔体;金属隔板,将波导腔体的一部分分割为上下两部分减高波导,其上开设有金属槽;微带电路腔体,位于波导腔体的一侧,与波导腔体相适配的位置处均开设有波导侧壁开孔;微带电路介质基板,与金属隔板平行,正面布置有微带线,反面开设有槽线,槽线与金属槽连接;负载电阻,与微带线连接。本发明的波导魔T结构相比较波导T型接头改善了合成器输入端口的隔离和端口的驻波,便于模块间的连接和系统集成,在多路系统集成时减小了因路间不平衡甚至一路损坏给系统带来的不稳定性;另外,相比较普通波导魔T,由于本发明采用折叠波导从而实现了小型化。CN109088141ACN109088141A权利要求书1/1页1.一种波导魔T结构,其特征在于,包括:波导腔体(10),一侧开设有波导侧壁开孔(12);金属隔板(3),固定设置在所述波导腔体(10)内部,用于将所述波导腔体(10)的一部分分割为上下两部分减高波导(11),且在所述金属隔板(3)上靠近所述波导侧壁开孔(12)位置处,沿垂直所述金属隔板(3)一条边方向开设有金属槽(4),且所述金属槽(4)沿所述金属隔板(3)平面方向上未贯穿所述金属隔板(3);微带电路腔体(5),位于所述波导腔体(10)的一侧,且在所述微带电路腔体(5)上与所述波导腔体(10)的波导侧壁开孔(12)相适配的位置处开设有波导侧壁开孔(12);微带电路介质基板(6),固定设置在所述微带电路腔体(5)内部,与所述金属隔板(3)平行,且所述微带电路介质基板(6)的正面布置有微带线(8),反面开设有槽线(7),所述槽线(7)穿过所述波导侧壁开孔(12)与所述金属隔板(3)上的金属槽(4)连接;负载电阻(9),位于所述微带电路腔体(5)外侧,与所述微带线(8)连接。2.根据权利要求1所述的波导魔T结构,其特征在于,所述波导腔体(10)被金属隔板(3)分隔的一端的上下两部分分别作为两个波导功合输入端口(2);所述波导腔体(10)的未被金属隔板(3)分隔的一端,作为波导功合输出端口(1);所述负载电阻(9)作为隔离端口吸收负载。3.根据权利要求1所述的波导魔T结构,其特征在于,所述金属槽(4)远离所述波导腔体(10)的未被金属隔板(3)分隔的一端的边缘为工作频率的四分之一波长。4.根据权利要求1所述的波导魔T结构,其特征在于,所述微带电路介质基板(6)与所述微带电路腔体(5)上下内表面平行,且所述微带电路介质基板(6)距所述微带电路腔体(5)上下内表面的距离大于5倍的自身厚度。5.根据权利要求1所述的波导魔T结构,其特征在于,所述负载电阻(9)固定设置在所述微带电路腔体(5)外侧。6.根据权利要求1所述的波导魔T结构,其特征在于,所述负载电阻(9)通过微带线延长与所述微带线(8)连接。2CN109088141A说明书1/4页一种波导魔T结构技术领域[0001]本发明涉及射频微波领域,特别涉及一种波导魔T结构。背景技术[0002]波导结构功率分配器由于具有插损小、功率容量高、性能好等特点在高频段被广泛地运用。对于波导功率分配器的设计也有许多结构,其中最典型就是各种E面或H面分支结构,这种功率分配结构形式简单,工程设计中易于实现,但是各输出端口之间的隔离较差,理论上只有6dB。输出端口间的隔离度差会导致相互之间的干扰,影响功率分配器的性能,而波导魔T为一种自带隔离端口的四端口网络,作为功合器使用时各端口能同时匹配,因此被广泛应用于微波电路中。[0003]传统的魔T要实现它的特性需要在E-T和H-T中间的接头处加入匹配结构,使各个端口都匹配,减少各个端口的回波损耗,螺钉,膜片或锥体等是我们比较常用的匹配元件,用上面所述这些匹配结构来匹配魔T的主要缺点是调配困难,装配精度要求高;另外传统的波导魔T是三维分支结构且体积较大,这样不利于平面集成,加工也比较麻烦。此外波导魔T作为合成器使用时,隔离端口一般需要外接波导负载或是填充一定的吸波材料,同时要保证波导负载良好散热,从而造成合成器体积较大,结构设计和加工困难,不利于整个功放系统的小型化。发明内容[0004]本