一种波导魔T结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110085961A(43)申请公布日2019.08.02(21)申请号201910354008.0(22)申请日2019.04.29(71)申请人中国电子科技集团公司第三十六研究所地址314033浙江省嘉兴市洪兴路387号(72)发明人董亮卫明(74)专利代理机构北京市隆安律师事务所11323代理人权鲜枝(51)Int.Cl.H01P5/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种波导魔T结构(57)摘要本发明公开一种波导魔T结构。本发明的波导魔T结构包括：上盖板、下盖板和连接件；上盖板与下盖板的第一位置开设有L型凹槽，L型凹槽形成波导魔T结构的L型矩形波导腔，L型凹槽的端口形成波导魔T结构的隔离端；上盖板与所述下盖板的第二位置开设有T型凹槽，T型凹槽形成波导魔T结构的T型矩形波导腔，T型凹槽形的两个相对端口形成波导魔T结构的两个输出端，T型凹槽形的第三个端口形成所述波导魔T结构的输入端；隔离端与输出端之间通过连接件相连通，连接件将所述隔离端的信号耦合到输出端。本发明的波导魔T结构具有结构更简单紧凑、频带更宽、插损更小的优点，更适用于微波毫米波应用领域。CN110085961ACN110085961A权利要求书1/1页1.一种波导魔T结构，其特征在于，包括：上盖板、下盖板和连接件；所述上盖板与所述下盖板的第一位置开设有L型凹槽，所述L型凹槽形成所述波导魔T结构的L型矩形波导腔，所述L型凹槽的端口形成所述波导魔T结构的隔离端；所述上盖板与所述下盖板的第二位置开设有T型凹槽，所述T型凹槽形成所述波导魔T结构的T型矩形波导腔，所述T型凹槽形的两个相对端口形成所述波导魔T结构的两个输出端，所述T型凹槽形的第三个端口形成所述波导魔T结构的输入端；所述隔离端与所述输出端之间通过所述连接件相连通，所述连接件将所述隔离端的信号耦合到所述输出端。2.根据权利要求1所述的波导魔T结构，其特征在于，所述隔离端、所述输入端与所述输出端处于同一平面。3.根据权利要求1所述的波导魔T结构，其特征在于，所述上盖板与所述下盖板位于所述L型矩形波导腔与所述T型矩形波导腔之间的位置设置有柱形凹槽，所述柱形凹槽连通L型矩形波导腔与所述T型矩形波导腔，所述连接件固定安装在所述柱形凹槽内。4.根据权利要求3所述的波导魔T结构，其特征在于，所述连接件包括柱形介质块和金属探针；所述柱形介质块内设有通孔，所述金属探针安装在所述通孔内，安装有所述金属探针的所述柱形介质块安装在所述柱形凹槽内。5.根据权利要求4所述的波导魔T结构，其特征在于，所述柱形介质块的两个端面分别与所述柱形凹槽的两个端面平齐，所述金属探针的两端分别穿过所述柱形介质块的通孔位于所述T型矩形波导腔与所述L型矩形波导腔内部。6.根据权利要求5所述的波导魔T结构，其特征在于，所述金属探针为阶梯型金属探针，位于所述L型矩形波导腔内部的所述金属探针用于耦合信号，位于所述T型矩形波导腔内部的所述金属探针用于拓展带宽。7.根据权利要求6所述的波导魔T结构，其特征在于，所述金属探针为不小于三层阶梯的阶梯型金属探针。8.根据权利要求4所述的波导魔T结构，其特征在于，所述金属探针通过导电胶粘接在所述通孔内。9.根据权利要求4所述的波导魔T结构，其特征在于，所述柱形介质块的材料为聚四氟乙烯。10.根据权利要求1所述的波导魔T结构，其特征在于，所述上盖板的下表面与所述下盖板的上表面贴合，并通过紧固件实现所述上盖板与所述下盖板的紧固安装。2CN110085961A说明书1/4页一种波导魔T结构技术领域[0001]本发明涉及射频微波技术领域，尤其涉及一种波导魔T结构。背景技术[0002]波导魔T可以作为功分器、和差器、移相器、调配器，波导开关、大功率环形器等多种器件使用，是微波/毫米波系统中重要的无源器件，在整个微波通信系统中发挥着重要作用。如今无线通信飞速发展，无论是军用领域还是民用领域都对通信质量提出更高的要求。波导魔T的宽带型、小型化以及高隔离度都成为了衡量其特性的重要指标。[0003]但传统的波导魔T是三维分支结构且体积较大，还需要加入调匹配元件，这样不利于平面集成加工也比较麻烦。发明内容[0004]本发明提供了一种波导魔T结构，以解决现有波导魔T结构体积大的问题。[0005]本发明提供了一种波导魔T结构，包括：上盖板、下盖板和连接件；上盖板与下盖板的第一位置开设有L型凹槽，L型凹槽形成波导魔T结构的L型矩形波导腔，L型凹槽的端口形成波导魔T结构的隔离端；上盖板与所述下盖板的第二位置开设有T型凹槽，T型凹槽形成波导魔T结构的T型矩形波导腔，T型凹槽形的两个相对端口形成波导魔T结构的两个输出端，T型凹槽形的第三个端口形成