一种花魔芋组培快速繁殖的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105961203A(43)申请公布日2016.09.28(21)申请号201610420530.0(22)申请日2016.06.15(71)申请人张万萍地址550025贵州省贵阳市花溪区霞晖路14号申请人吴家丽(72)发明人张万萍吴家丽杨雪莲裴芸(74)专利代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司11246代理人裴娜(51)Int.Cl.A01H4/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种花魔芋组培快速繁殖的方法(57)摘要本发明公开了一种花魔芋组培快速繁殖的方法，以本地花魔芋为材料，花魔芋外植体运用10％次氯酸钠作为外植体灭菌剂，以MS为基本培养基培养，添加不同浓度的6-BA、NAA、IBA诱导分化；最后花魔芋试管苗在松针土:营养土＝2:1的基质中移栽驯化；外植体为花魔芋的茎尖、球茎、茎段。本发明外植体运用10％次氯酸钠作为外植体灭菌剂时，外植体污染率随着时间延长而降低，但褐化率升高；花魔芋生根培养过程中，以切取带基部的试管苗置于MS培养基中进行培养时，试管苗根系生长最好，根数最多；贵州本地花魔芋试管苗在松针土:营养土＝2:1的基质中移栽驯化成活率最高为75％，单株球茎最大27.77g，植株长势强。CN105961203ACN105961203A权利要求书1/1页1.一种花魔芋组培快速繁殖的方法，其特征在于，所述花魔芋组培快速繁殖的方法以本地花魔芋为材料，花魔芋外植体运用10％次氯酸钠作为外植体灭菌剂，以MS为基本培养基培养，添加不同浓度的6-BA、NAA、IBA诱导分化；最后花魔芋试管苗在松针土:营养土＝2:1的基质中移栽驯化；所述花魔芋外植体为花魔芋的茎尖、球茎、茎段。2.如权利要求1所述的花魔芋组培快速繁殖的方法，其特征在于，所述花魔芋外植体的球茎的灭菌消毒时间为10-15min，茎段灭菌时间为8-12min，茎尖和叶片灭菌时间为10-15min。3.如权利要求1所述的花魔芋组培快速繁殖的方法，其特征在于，所述茎段愈伤诱导分化和不定芽增殖培养基组合为MS+1.0mg/l6-BA+0.05mg/lNAA；球茎愈伤诱导分化和不定芽增殖培养基组合为MS+1.0mg/l6-BA+0.02mg/lNAA；茎尖愈伤诱导分化和不定芽增殖培养基组合为MS+0.5mg/l6-BA+0.05mg/lNAA。2CN105961203A说明书1/3页一种花魔芋组培快速繁殖的方法技术领域[0001]本发明属于魔芋种植技术领域，尤其涉及一种花魔芋组培快速繁殖的方法。背景技术[0002]贵州本地花魔芋的茎尖、球茎、茎段均可作为外植体进行愈伤组织和不定芽的诱导分化，运用10％次氯酸钠作为外植体灭菌剂时，外植体污染率随着时间延长而降低，但褐化率升高。综合考虑污染率和褐化率的影响，球茎的灭菌消毒时间以15min为宜、茎段灭菌时间以12min为宜、茎尖和叶片灭菌时间以10min最好；但茎段和球茎的诱导分化率和不定芽增殖倍数明显优于茎尖。其中茎段愈伤诱导分化和不定芽增殖适宜培养基组合为MS+1.0mg/l6-BA+0.05mg/lNAA；球茎愈伤诱导分化和不定芽增殖适宜培养基组合为MS+1.0mg/l6-BA+0.02mg/lNAA；茎尖愈伤诱导分化和不定芽增殖适宜培养基组合为MS+0.5mg/l6-BA+0.05mg/lNAA。选择组培苗作为继代扩繁材料时，由于其中上部茎段幼嫩程度较高，不易诱导分化愈伤组织，宜选用中基部茎段进行扩繁为好；贵州本地花魔芋生根培养过程中，以切取带基部的试管苗置于MS培养基中进行培养时，试管苗根系生长最好，根数最多；贵州本地花魔芋试管苗在松针土:营养土＝2:1的基质中移栽驯化成活率最高为75％，单株球茎最大27.77g，植株长势强。无土栽培专用基质移栽驯化成活率为17％，试管苗长势差，单株球茎最小，不适宜作魔芋试管苗移栽驯化栽培基质。[0003]现有的魔芋组培存在种性退化、污染率高、成本高、组培苗炼苗难、移栽成活率较低。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种花魔芋组培快速繁殖的方法，旨在解决现有的魔芋组培存在种性退化、污染率高、成本高、组培苗炼苗难、移栽成活率较低的问题。[0005]本发明是这样实现的，一种花魔芋组培快速繁殖的方法，所述花魔芋组培快速繁殖的方法以本地花魔芋为材料，花魔芋外植体运用10％次氯酸钠作为外植体灭菌剂，以MS为基本培养基培养，添加不同浓度的6-BA、NAA、IBA诱导分化；最后花魔芋试管苗在松针土:营养土＝2:1的基质中移栽驯化；所述花魔芋外植体为花魔芋的茎尖、球茎、茎段。MS为基本培养基营养土(全氮(N)≥0.6g/L，磷(P2O5)≥0.27g/L，氧化钾(K2O)≥0.36g/L)