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负性光刻胶组合物、制备方法及形成光刻胶图案的方法.pdf
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负性光刻胶组合物、制备方法及形成光刻胶图案的方法.pdf
本发明提供了一种负性光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该负性光刻胶组合物包括高硅树脂和光敏产酸剂。高硅树脂和光敏产酸剂的质量比为10‑70:0.5‑10。本发明提供的负性光刻胶组合物，使用具有良好化学稳定性以及绝缘性能的高硅树脂，能够降低负性光刻胶组合物的介电常数，介电常数低至2.8‑3.2，能够满足封装工艺的绝缘性要求，可以提高封装效率和效果，打破国外垄断，降低生产成本。
2023-06-24
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半导体光刻胶组合物、制备其的方法及形成图案的方法.pdf
本发明公开一种半导体光刻胶组合物,包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂;和一种制备其的方法;以及一种使用其形成图案的方法。所述半导体光刻胶组合物具有极好灵敏度、分辨率以及存储稳定性。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]<base:Imagehe=@395@wi=@392@file=@DDA0003383946260000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@no@/>
2023-05-09
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光刻胶组合物和形成光刻图案的方法.pdf
光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元，其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1-C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-和-COO-的连接结构部分；和n是0-5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳
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2023-06-02
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