一种抗反射涂料组合物及其制备方法以及光刻胶图案的形成方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115948095A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310094469.5(22)申请日2023.02.10(71)申请人厦门恒坤新材料科技股份有限公司地址361027福建省厦门市海沧区东孚镇山边路389号(72)发明人易荣坤林国清王静毛鸿超(74)专利代理机构厦门荔信律和知识产权代理有限公司35282专利代理师赖秀华(51)Int.Cl.C09D161/32(2006.01)C08G12/40(2006.01)C08G12/12(2006.01)G03F7/004(2006.01)权利要求书2页说明书9页(54)发明名称一种抗反射涂料组合物及其制备方法以及光刻胶图案的形成方法(57)摘要本发明属于光刻领域，涉及一种抗反射涂料组合物及其制备方法以及光刻胶图案的形成方法。所述抗反射涂料组合物中含有聚硫代缩醛、产酸剂、有机溶剂以及任选的添加剂；所述聚硫代缩醛包括衍生自硫代二醇的结构单元以及衍生自烷氧基甘脲的结构单元。本发明提供的抗反射涂料组合物兼具有高折射率和优异的刻蚀速率，极具工业应用前景。CN115948095ACN115948095A权利要求书1/2页1.一种抗反射涂料组合物，其特征在于，所述抗反射涂料组合物中含有聚硫代缩醛、产酸剂、有机溶剂以及任选的添加剂；所述聚硫代缩醛包括衍生自式(1)所示硫代二醇的结构单元以及衍生自式(2)所示烷氧基甘脲的结构单元；式(1)中，R1表示氢、C1～C10的烷基、C3～C20的环烷基或C6～C20的芳香基，n表示1～10的整数；式(2)中，R2、R3、R4和R5各自独立地表示‑(CH2)a‑O‑(CH2)b‑CH3，a为1～6的整数，b为0～6的整数；R6和R7各自独立地表示氢或C1～C10的烷基。2.根据权利要求1所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，以所述抗反射涂料组合物的总重量为基准，所述聚硫代缩醛的含量为1～10wt％，所述产酸剂的含量为0.01～5wt％，所述有机溶剂的含量为85～95wt％，所述添加剂的含量为0～5wt％。3.根据权利要求1所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，衍生自式(1)所示硫代二醇的结构单元与衍生自式(2)所示烷氧基甘脲的结构单元的摩尔比为(0.1～0.9):1。4.根据权利要求1所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，所述聚硫代缩醛的重均分子量Mw为2000～12000道尔顿，多分散度PDI为1.5～2.5。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，所述聚硫代缩醛按照以下方法制备得到：S1、在NiCl2·6H2O的存在下，将式(3)所示的醛类化合物与式(4)所示的巯基醇进行缩合反应，得到缩合反应产物；S2、将步骤S1所得缩合反应产物与式(2)所示的烷氧基甘脲进行缩合聚合反应；式(3)中，R1表示氢、C1～C10的烷基、C3～C20的环烷基或C6～C20的芳香基；式(4)中，n表示1～10的整数。6.根据权利要求5所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，所述醛类化合物与巯基醇的摩尔比为1:(2～2.5)；所述NiCl2·6H2O的用量为醛类化合物和巯基醇总重量的0.5～2％。7.根据权利要求5所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，步骤S1中，所述缩合反应的条件包括温度为20～35℃，时间为1～2h。8.根据权利要求5所述的抗反射涂料组合物，其特征在于，步骤S2中，所述缩合聚合反应的条件包括温度为80～100℃，时间为2～10h。9.权利要求1～8中任意一项所述的抗反射涂料组合物的制备方法，其特征在于，该方法包括将聚硫代缩醛、产酸剂、有机溶剂以及任选的添加剂混合均匀。10.一种光刻胶图案的形成方法，其特征在于，该方法包括将权利要求1～8中任意一项所述的抗反射涂料组合物施加至基底上并进行热处理，以在基底上形成底部抗反射涂层，2CN115948095A权利要求书2/2页再在底部抗反射涂层上形成光刻胶抗蚀层，之后将光刻胶抗蚀层曝光并显影从而形成光刻胶图案。3CN115948095A说明书1/9页一种抗反射涂料组合物及其制备方法以及光刻胶图案的形成方法技术领域[0001]本发明属于光刻领域，涉及一种抗反射涂料组合物及其制备方法以及光刻胶图案的形成方法。背景技术[0002]光刻胶是用于将图象转移到基材上的感光膜。首先，在基底上形成光刻胶涂层，然后经光掩膜将光刻胶涂层曝光于活化辐射源。所述光掩膜同时具有对活化射线透明的区域与对活化不透明的其它区域。活化辐射可使曝光的光刻胶涂层发生光致变化或化学变化，从而实现光掩膜图案到设置有光刻胶的基片上的转移。曝光后，通过对光刻胶显影，产生能够对基片进行选择性加工的浮雕图像。[0003]在微蚀刻工艺中，光刻胶主要应用于半导体和集成电路