光刻胶组合物和形成光刻图案的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103576458103576458A(43)申请公布日2014.02.12(21)申请号201310491354.6(51)Int.Cl.(22)申请日2013.07.31G03F7/004(2006.01)G03F7/038(2006.01)(30)优先权数据G03F7/09(2006.01)61/678,0942012.07.31USG03F7/00(2006.01)(71)申请人罗门哈斯电子材料有限公司地址美国马萨诸塞州(72)发明人朴钟根C·N·李C·安德斯D·王(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人陈哲锋权权利要求书3页利要求书3页说明书26页说明书26页附图1页附图1页(54)发明名称光刻胶组合物和形成光刻图案的方法(57)摘要光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元，其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1-C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-和-COO-的连接结构部分；和n是0-5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳定基团且其中第二聚合物具有比第一聚合物低的表面能；光酸产生剂；和溶剂。CN103576458ACN10357648ACN103576458A权利要求书1/3页1.一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元：其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1-C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-和-COO-的连接结构部分；和n是0-5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳定基团且其中第二聚合物具有比第一聚合物低的表面能；光酸产生剂；和溶剂。2.权利要求1的光刻胶组合物，其中第一单元由下列通式(I-1)的单体形成：其中：R2选自氢、氟以及氟化和非氟化C1-C3烷基；R4选自氟化和非氟化C1-C15烷基；和X是氧或者硫。3.权利要求2的光刻胶组合物，其中R4选自氟化和非氟化C3-C8烷基。4.权利要求1-3中任一项的光刻胶组合物，其中第二单元由包含可聚合基团和碱性结构部分的单体形成，所述可聚合基团选自(烷基)丙烯酸酯、乙烯基、烯丙基和马来酰亚胺，以及所述碱性结构部分选自胺。5.权利要求I-3中任一项的光刻胶组合物，其中第二单元由包含可聚合基团和碱性结构部分的单体形成，所述可聚合基团选自(烷基)丙烯酸酯、乙烯基、烯丙基和马来酰亚酰胺，以及所述碱性结构部分选自酰胺。6.权利要求1-5中任一项的光刻胶组合物，其中含碱性结构部分单元由选自如下的一种或多种单体形成：2CN103576458A权利要求书2/3页7.权利要求6的光刻胶组合物，其中含碱性结构部分单元由选自如下的一种或多种单体形成：3CN103576458A权利要求书3/3页8.一种涂覆基材，包含基材和形成在基材表面上的权利要求1-7中任一项的光刻胶组合物的层。9.一种通过负色调显影形成光刻图案的方法，所述方法包括：(a)提供基材，所述基材的表面上包括一个或多个待图案化层；(b)在所述一个或多个待图案化层上涂覆权利要求1-7中任一项的光刻胶组合物层；(c)将所述光刻胶组合物层图案化曝光于光化辐射下；(d)在后曝光烘焙工艺中加热曝光的光刻胶组合物层；和(e)向所述光刻胶组合物层施加包含有机溶剂的显影剂，其中光刻胶层的未曝光部分通过显影剂被除去，从而在所述一个或多个待图案化层上留下光刻胶图案。10.权利要求9的方法，其中通过浸渍光刻法进行所述图案化曝光。4CN103576458A说明书1/26页光刻胶组合物和形成光刻图案的方法技术领域[0001]本发明涉及电子设备的制备。更具体地说，本发明涉及光刻胶组合物和光刻方法，该方法允许使用负色调显影工艺(negativetonedevelopmentprocess)形成精细图案(finepatterns)。背景技术[0002]人们已经从材料和工艺两个角度做了相当大的努力来扩展浸渍光刻方法中正色调显影(positivetonedevelopment)的实际分辩率性能。其中的一一个实施例包括负色调显影(NTD)，即一种图像翻转技术