一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112599400A(43)申请公布日2021.04.02(21)申请号202011589978.8(22)申请日2020.12.29(71)申请人盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司地址315100浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村(72)发明人宋大猛金南国林保璋姜洪中(74)专利代理机构上海领洋专利代理事务所(普通合伙)31292代理人俞晨波(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统(57)摘要本发明公开了一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，包括半导体干法刻蚀设备和安装于半导体干法刻蚀设备上的水汽含量报警系统，水汽含量报警系统按照检测数据传输的过程依次设置有水汽检测装置、水汽检测计算机、继电器、蜂鸣器和工厂网络系统，水汽检测装置与半导体干法刻蚀设备之间连接有管道，管道上安装有手动阀，水汽检测装置由离子源、四级杆质量过滤器和检测器组成，离子源位于管道一侧，四级杆质量过滤器包括对称设置的两组挡板和位于挡板内部的四级杆。本发明设计的水汽检测装置实时监控干法刻蚀设备的腔体水汽状态，当超标时可以通知半导体工作人员及时处理生产设备，这样能够避免产品的报废，达到提升产品良率的目的。CN112599400ACN112599400A权利要求书1/1页1.一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，包括半导体干法刻蚀设备和安装于半导体干法刻蚀设备上的水汽含量报警系统，其特征在于：所述水汽含量报警系统按照检测数据传输的过程依次设置有水汽检测装置(1)、水汽检测计算机(2)、继电器(3)、蜂鸣器(4)和工厂网络系统(5)，所述水汽检测装置(1)与半导体干法刻蚀设备之间连接有管道(6)，所述管道(6)上安装有手动阀(7)，所述水汽检测装置(1)由离子源(8)、四级杆质量过滤器(9)和检测器(10)组成，所述离子源(8)位于管道(6)一侧，所述四级杆质量过滤器(9)包括对称设置的两组挡板(11)和位于挡板(11)内部的四级杆(12)，两组所述挡板(11)上均开设有槽口(13)，所述四级杆(12)的两端分别位于两组挡板(11)的内侧，所述检测器(10)的检测端正对位于后方的所述挡板(11)，所述离子源(8)所述水汽检测装置(1)通过线路与水汽检测计算机(2)相连接，所述水汽检测计算机(2)通过线路与继电器(3)相连接且通过无线网外接工厂网络系统(5)，所述继电器(3)通过线路与蜂鸣器(4)相连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，其特征在于：所述管道(6)的内端与半导体干法刻蚀设备的设备腔体相连接且外端与水汽检测装置(1)的检测端相连接。3.根据权利要求2所述的一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，其特征在于：所述水汽检测装置(1)采用四级质谱分析仪。4.根据权利要求1所述的一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，其特征在于：两组所述槽口(13)位置相对应且之间的中心线位于四级杆(12)的中部。5.根据权利要求4所述的一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，其特征在于：所述四级杆(12)由均匀设置的四组电极杆组成，四组所述电极杆包括两组正极杆(14)和两组负极杆(15)，两组所述正极杆(14)之间连接有线路一(16)，两组所述负极干之间连接有线路二(17)，所述线路一(16)和线路二(17)通过通电线外接有电源(18)。6.根据权利要求1所述的一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，其特征在于：所述检测器(10)采用水汽含量传感器，所述水汽含量传感器采用SIN‑P300型号的水汽含量传感器。7.根据权利要求1所述的一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，其特征在于：所述水汽检测计算机(2)输出24VDC直流信号至继电器(3)，所述继电器(3)采用欧姆龙24VDC继电器(3)G6C型号。2CN112599400A说明书1/3页一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统技术领域[0001]本发明涉及半导体干法刻蚀技术领域，具体为一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统。背景技术[0002]干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法