半导体结构及其制作工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114678358A(43)申请公布日2022.06.28(21)申请号202011551521.8(22)申请日2020.12.24(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人真芯（北京）半导体有限责任公司(72)发明人张铉瑀许民吴容哲杨涛贺晓彬李俊杰(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619专利代理师金铭(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称半导体结构及其制作工艺(57)摘要本发明提供的一种半导体结构及其制作工艺，涉及半导体技术领域，包括：半导体衬底；蜂窝状分布的多个圆筒形电容器，多个电容器设置在衬底上，电容器包括呈沟槽状的下电极，位于下电极内壁的介质层和上电极构成第一电容，位于下电极外壁的介质层和上电极构成第二电容；至少一层支撑件，支撑件位于下电极的外壁，以对多个电容器形成支撑固定；其中，下电极的顶部高于最顶层的支撑层。在上述技术方案中，最顶层的支撑层的顶层上会被一层牺牲支撑层所覆盖，该牺牲支撑层就能够在电容器的形成过程中预留出电容器的形成空间，当最终将该牺牲支撑层去除掉以后，该层牺牲支撑层所让出的空间，可以用来形成电容器，有效的扩大电容器的容量。CN114678358ACN114678358A权利要求书1/1页1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；蜂窝状分布的多个圆筒形电容器，多个所述电容器设置在所述衬底上，所述电容器包括呈沟槽状的下电极，位于下电极内壁的介质层和上电极构成第一电容，位于下电极外壁的介质层和上电极构成第二电容；至少一层支撑件，所述支撑件位于所述下电极的外壁，以对多个所述电容器形成支撑固定；其中，所述下电极的顶部高于最顶层的支撑层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底上包括晶体管，所述晶体管包括栅极线和多个有源区，所述有源区之一与位线连接，其他有源区与存储节点接触，所述存储节点连接到所述电容器的下电极。3.一种半导体结构的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成由模制层和支撑层堆叠构成的堆叠结构，并在所述堆叠结构的顶层形成牺牲支撑层；在所述堆叠结构上形成多个蜂窝状分布的圆筒形电容器，在所述电容器上设置沟槽状的下电极后，在支撑层的工艺中去除所述牺牲支撑层；然后在所述下电极内壁的介质层和上电极形成第一电容，在所述下电极外壁的介质层和上电极构成第二电容。4.根据权利要求3所述的制作工艺，其特征在于，采用湿法腐蚀时可与氧化物一起被去除的物质，来形成所述牺牲支撑层。5.根据权利要求4所述的制作工艺，其特征在于，采用氮化硅材质形成所述牺牲支撑层。6.根据权利要求5所述的制作工艺，其特征在于，所述模制层采用氮化硅材质形成。7.根据权利要求3所述的制作工艺，其特征在于，采用沉积工艺形成所述牺牲支撑层。8.根据权利要求3‑7中任一项所述的制作工艺，其特征在于，在利用干法刻蚀工艺对所述支撑层进行图案化处理后，将氧化物序列的模制层利用湿法腐蚀时使用的刻蚀剂去除所述牺牲支撑层。2CN114678358A说明书1/4页半导体结构及其制作工艺技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体结构及其制作工艺。背景技术[0002]动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。在动态随机存取存储器中，电容器是决定动态随机存取存储器特性的最重要因素之一，因此开发半导体元件时，将电容器最大化是很重要的。但是，随着半导体元件的逐渐缩小，电容器的尺寸也逐渐减少，直接影响动态随机存取存储器的特性。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种半导体结构及其制作工艺，提高电容器电容，以解决现有技术中电容器尺寸减少，影响动态随机存取存储器特性的技术问题。[0004]本发明提供的一种半导体结构，包括：[0005]半导体衬底；[0006]蜂窝状分布的多个圆筒形电容器，多个所述电容器设置在所述衬底上，所述电容器包括呈沟槽状的下电极，位于下电极内壁的介质层和上电极构成第一电容，位于下电极外壁的介质层和上电极构成第二电容；[0007]至少一层支撑件，所述支撑件位于所述下电极的外壁，以对多个所述电容器形成支撑固定；其中，所述下电极的顶部高于最顶层的支撑层。[0008]本申请还提供了一种半导体结构的制作工艺，包括如下步骤：[0009]提供半导体衬底；[0010]在所述半导体衬底上形成由模制层和支撑层堆叠构成的堆叠结构，