半导体结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116033735A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202111231509.3(22)申请日2021.10.22(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人郭帅(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师闫洁刘芳(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)H01L29/43(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图17页(54)发明名称半导体结构及其制作方法(57)摘要本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能较差技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个间隔设置的叠层结构，叠层结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，第一导电层和第二导电层中的至少一个为半金属层；形成覆盖叠层结构的沟道层，以及覆盖沟道层的介质层；形成沿第一方向延伸的字线，字线包括多个接触部和连接相邻的接触部的连接部，接触部环绕且接触介质层的侧表面，接触部与至少部分绝缘层相对。通过设置半金属层，可以降低叠层结构与其他结构的接触电阻，以及叠层结构内部的接触电阻，从而提高半导体结构的性能。CN116033735ACN116033735A权利要求书1/3页1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个间隔设置的叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个为半金属层；形成覆盖所述叠层结构的沟道层，以及覆盖所述沟道层的介质层；形成沿第一方向延伸的字线，所述字线包括多个接触部和连接相邻的所述接触部的连接部，所述接触部环绕且接触所述介质层的侧表面，所述接触部与至少部分所述绝缘层相对。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述沟道层的材质包括硫化钼，和/或所述半金属层的材质包括铋。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述叠层结构的沟道层，以及覆盖所述沟道层的介质层的步骤包括：在所述叠层结构和所述衬底上沉积所述沟道层，所述沟道层覆盖所述叠层结构的顶表面、侧表面，以及所述衬底的顶表面；在所述沟道层上沉积所述介质层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成沿第一方向延伸的字线，所述字线包括多个接触部和连接相邻的所述接触部的连接部，所述接触部环绕且接触所述介质层的侧表面，所述接触部与至少部分所述绝缘层相对的步骤之前，还包括：在覆盖有所述沟道层和所述介质层的所述叠层结构之间填充第一支撑层，所述第一支撑层背离所述衬底的表面高于所述第一导电层背离所述衬底的表面，且低于所述绝缘层背离所述衬底的表面。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在覆盖有所述沟道层和所述介质层的所述叠层结构之间填充第一支撑层，所述第一支撑层背离所述衬底的表面高于所述第一导电层背离所述衬底的表面，且低于所述绝缘层背离所述衬底的表面的步骤包括：在所述介质层上形成第一初始支撑层，所述第一初始支撑层填充在覆盖有所述沟道层和所述介质层的所述叠层结构之间，且所述第一初始支撑层覆盖所述介质层的顶表面；去除部分所述第一初始支撑层，保留的所述第一初始支撑层形成所述第一支撑层。6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成沿第一方向延伸的字线，所述字线包括多个接触部和连接相邻的所述接触部的连接部，所述接触部环绕且接触所述介质层的侧表面，所述接触部与至少部分所述绝缘层相对的步骤包括：形成覆盖所述第一支撑层和所述介质层的初始字线层；沿第一方向去除位于所述第一支撑层上的部分所述初始字线层，以使所述初始字线层形成多条间隔设置的中间字线层；去除所述介质层的顶表面上的所述中间字线层，以及所述介质层的侧表面上远离所述衬底的部分所述中间字线层，保留的所述中间字线层形成字线。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿第一方向去除位于所述第一支撑层上的部分所述初始字线层，以使所述初始字线层间断，形成多条间隔设置的2CN116033735A权利要求书2/3页中间字线层的步骤包括：形成覆盖所述初始字线层的掩膜层，所述掩膜层填充在覆盖有所述沟道层、所述介质层和所述初始字线层的所述叠层结构之间，且所述掩膜层覆盖所述初始字线层的顶表面；在所述掩膜层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有沿第一方向延伸的沟槽，所述沟槽在所述衬底上的正投影与位于所述叠层结构侧表面的初始字线层在所述衬底上的正投影不相重叠；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层；以刻蚀后的所述掩膜层为掩膜，刻蚀