一种制备ZnO纳米针阵列的方法.pdf

本发明公开了一种制备ZnO纳米针阵列的方法，包括清洗Si基片表面、置入管式炉，其特征在于：前期热蒸发以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1340-1360℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间25-30分钟；再行后期热蒸发沉积，以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1430-1460℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间5-8分钟，完

2023-06-20

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一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法.pdf

本发明涉及一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，属于纳米线制备方法领域。该方法的工艺步骤如下：（1）制备前驱溶液：向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌0.5~3h，得前驱溶液；（2）超过滤：对前驱溶液进行超过滤；（3）旋涂：将步骤（2）截留所得溶液滴加到基底上，然后以500~3000rpm的转速涂胶；（4）热处理：①将涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃保温30~120min，保温时间届满后，将基底自然冷却至室温，②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1

2023-11-25

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一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法.pdf

本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉置于容器中，并将容器、衬底放入管式炉中；(2)对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)将管式炉升温，反应后自然降温；(4)取出衬底，衬底上生长物即为ZnO单晶纳米管阵列。该方法经济便捷，可控性强，重复性高。制备出的ZnO纳米管管壁薄、结晶性高、排列整齐，在太阳能电池、光催化、生物和气体传感器等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。

2023-06-19

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一种“工”字型ZnO纳米阵列及其制备方法.pdf

本发明公开的“工”字型ZnO纳米阵列，由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列，其底端和顶端互相连接，形成中间具有空隙的薄膜结构。“工”字型ZnO纳米阵列在水平管式炉中生长，以锌粉为源材料，以硅、蓝宝石、石英、玻璃、氮化镓或氧化锌为衬底，通过调节温度加热过程和气流通入程序，整个结构由一次反应生长而成。本发明的“工”字型ZnO纳米阵列制备方法简单，是一种开放型的结构，器件制作容易，且可保留纳米阵列之间的空隙，可以用于光电器件和传感器件等领域。

2023-06-20

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一种C、N共掺杂ZnO纳米结构阵列的制备方法.pdf

一种C、N共掺杂ZnO纳米结构阵列的制备方法，涉及一种ZnO纳米结构阵列的制备方法。是要解决现有的ZnO催化材料难以回收再利用的问题。方法：一、制备种子层溶液；二、在FTO导电基底上制备ZnO种子层；三、C、N共掺杂Zn(OH)F纳米结构阵列的制备；四、煅烧，样品用管式炉烧结，即完成。本发明的C、N共掺杂的ZnO纳米结构阵列通过简单的一步法在玻璃基底上生长，光催化过程中，稳定高效的光催化剂固定在玻璃基片上参与完成催化反应，不会溶解在水体中，不会对水体造成二次污染，便于光催化材料的回收再利用。本发明用于催化

2023-06-16

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