一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法.pdf
纪阳****公主
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一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法.pdf
本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)将锌粉置于容器中,并将容器、衬底放入管式炉中;(2)对管式炉抽真空,充入压缩空气;(3)将管式炉升温,反应后自然降温;(4)取出衬底,衬底上生长物即为ZnO单晶纳米管阵列。该方法经济便捷,可控性强,重复性高。制备出的ZnO纳米管管壁薄、结晶性高、排列整齐,在太阳能电池、光催化、生物和气体传感器等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。
一种制备ZnO纳米针阵列的方法.pdf
本发明公开了一种制备ZnO纳米针阵列的方法,包括清洗Si基片表面、置入管式炉,其特征在于:前期热蒸发以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1340-1360℃,炉管内保持在200-300Torr的真空度,传输气体为Ar气,流量为35-40sccm,持续时间25-30分钟;再行后期热蒸发沉积,以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1430-1460℃,炉管内保持在200-300Torr的真空度,传输气体为Ar气,流量为35-40sccm,持续时间5-8分钟,完
一种碳纳米管阵列的制备方法.pdf
本发明涉及一种碳纳米管阵列的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一基底;将催化剂沉积在所述基底的表面;将表面沉积有催化剂的基底放入一反应炉中,加热至一第一预定温度,通入碳源气及保护气体生长碳纳米管阵列;停止通入碳源气,改变反应炉的温度至一第二预定温度,通入氧气或含氧气的混合气体,使所述碳纳米管阵列与氧气反应。该方法制备的碳纳米管阵列可以简单、方便的从生长基底上分离。
一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法.pdf
本发明涉及一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法,属于纳米线制备方法领域。该方法的工艺步骤如下:(1)制备前驱溶液:向反应容器中加入去离子水,然后加入锌盐和聚乙烯亚胺,在室温、常压下搅拌0.5~3h,得前驱溶液;(2)超过滤:对前驱溶液进行超过滤;(3)旋涂:将步骤(2)截留所得溶液滴加到基底上,然后以500~3000rpm的转速涂胶;(4)热处理:①将涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃保温30~120min,保温时间届满后,将基底自然冷却至室温,②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1
一种“工”字型ZnO纳米阵列及其制备方法.pdf
本发明公开的“工”字型ZnO纳米阵列,由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列,其底端和顶端互相连接,形成中间具有空隙的薄膜结构。“工”字型ZnO纳米阵列在水平管式炉中生长,以锌粉为源材料,以硅、蓝宝石、石英、玻璃、氮化镓或氧化锌为衬底,通过调节温度加热过程和气流通入程序,整个结构由一次反应生长而成。本发明的“工”字型ZnO纳米阵列制备方法简单,是一种开放型的结构,器件制作容易,且可保留纳米阵列之间的空隙,可以用于光电器件和传感器件等领域。